集成电路的金属化结构。在一个实施例中，集成电路包括设置在单元的有源区上方的金属‑至‑扩散(MD)层、设置在单元的有源区上方的栅极、以及包括设置在MD层和栅极上方的M0轨道的第一金属化层。集成电路还包括第二金属化层，该第二金属化层包括设置在第一金属化层上方的M1轨道。M1轨道包括各自与单元的边缘具有第一预定距离的第一M1轨道以及各自与单元的边缘具有第二预定距离的第二M1轨道，其中第一M1轨道比第二M1轨道长。本申请的实施例还公开了集成电路及形成单元布局结构的方法。