公开(公告)号：CN111834361B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202010274858.2

申请日：2020-04-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴国晖 ,  高章瑞 ,  陈志良 ,  庄惠中 ,  杨荣展 ,  鲁立忠 ,  陈向东

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 具有标准单元的半导体器件包括第一电源线、第二电源线、设置在衬底上方的第一全环栅场效应晶体管(GAA FET)以及设置在第一GAA FET之上的第二GAA FET。第一电源线和第二电源线位于彼此垂直不同的层级处。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113594156B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202110480078.8

申请日：2021-04-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志良 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

公开(公告)号：CN116387308A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310162064.0

申请日：2023-02-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴家骏 ,  陈志良 ,  庄惠中 ,  高章瑞 ,  简永溱

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/50 ,  G06F30/392

摘要： 提供了一种集成电路及其形成方法。集成电路包括沿第一方向延伸的第一和第二有源区，以及沿第二方向延伸的浮置栅极、第一伪栅极、第一导体和第二导体。浮置栅极是电浮置的。第一伪栅极在第二方向上与浮置栅极分离。伪栅极和浮置栅极将对应于第一晶体管的第一单元与对应于第二晶体管的第二单元分离。第一和第二导体在第一方向上彼此分离，并与第二有源区重叠。第一和第二导体电耦合到第二有源区的对应源极/漏极，并且被配置为向第二有源区的对应源极/漏极提供相同信号/电压。浮置栅极位于第一和第二导体之间。

公开(公告)号：CN108735705B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201711077497.7

申请日：2017-11-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 彭士玮 ,  陈志良 ,  杨超源 ,  杨惠婷 ,  曾健庭 ,  林威呈

IPC分类号： H01L23/498

摘要： 一种半导体装置或结构包括第一图案金属层，所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间，所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一图案金属层实质上相同的厚度。第一供电金属区包含第一金属且跟随引脚包含第二金属。

公开(公告)号：CN115799261A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210843512.9

申请日：2022-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖知佑 ,  陈志良 ,  卢麒友 ,  邱上轩

IPC分类号： H01L27/118

摘要： 一种集成电路及其制造方法，集成电路包括在一源极/漏极区处与一第一作用区结构相交的一第一导体区段及在一源极/漏极区处与一第二作用区结构相交的一第二导体区段。该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开。该第一导体具有与一第一电力轨分开的一远侧边缘，且该第二导体区段经由一通孔连接件连接至一第二电力轨。自该第一电力轨至该第一导体区段的一近侧边缘的一距离比自该第二电力轨至该第二导体区段的一近侧边缘的一距离大一预定距离，该预定距离是该分离距离的一部分。

公开(公告)号：CN115528044A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210685362.3

申请日：2022-06-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张玮玲 ,  陈志良 ,  庄惠中 ,  吴佳典 ,  高嘉鸿

IPC分类号： H01L27/118 ,  H01L27/02

摘要： 一种集成电路装置及其制造方法及系统，集成电路(integrated circuit，IC)装置包括电路区域、在电路区域上方的下部金属层、及在下部金属层上方的上部金属层。下部金属层包括沿着第一轴延长的多个下部导电图案。上部金属层包括沿着横向于第一轴的第二轴延长的多个上部导电图案。多个上部导电图案包括用以将电路区域电气耦接到电路区域外部的外部电路的至少一个输入或输出。上部金属层进一步包括与在多个上部导电图案之中的第一上部导电图案连续并且沿着第一轴从此第一上部导电图案突出的第一横向上部导电图案。第一横向上部导电图案是在多个下部导电图案之中的第一下部导电图案上方并且电气耦接到此第一下部导电图案。

公开(公告)号：CN115528043A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210534894.7

申请日：2022-05-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张玮玲 ,  陈志良 ,  吴佳典 ,  吴国晖

IPC分类号： H01L27/118

摘要： 一种集成电路和其制造方法、以及在集成电路中的电路单元，集成电路包括在第一连接层中的多个水平导线、低于第一连接层的多个栅极导体、低于第一连接层的多个端子导体、以及导孔连接器其将多个水平导线中的一者与多个栅极导体中的一者或与多个端子导体中的一者直接地连接。集成电路也包括在高于第一连接层在第二连接层中的多个垂直导线，以及用于电路单元的多个引脚连接器。第一引脚连接器直接地连接在介于第一水平导线和在多个栅极导体中的一者的顶部上的第一垂直导线之间。第二引脚连接器直接地连接在介于第二水平导线和在电路单元的垂直边界的顶部上的第二垂直导线之间。

公开(公告)号：CN115527938A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210677472.5

申请日：2022-06-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖知佑 ,  陈志良 ,  蔡庆威 ,  张尚文 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括基底隔离层、第一源电极位于基底隔离层的第一侧的第一晶体管。桥柱延伸穿过基底隔离层，且金属电极将桥柱电连接至第一源电极。金属电极及第一源电极位于基底隔离层的同一侧。位于基底隔离层的相对侧的第二金属电极电连接至桥柱且电连接至位于基底隔离层的第二侧的导线。

公开(公告)号：CN115472625A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210455846.9

申请日：2022-04-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖知佑 ,  陈志良

IPC分类号： H01L27/118 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238

摘要： 本揭示文件提供一种集成电路及其制造方法，包含一组晶体管，该组晶体管包含一组主动区、一组电轨、一第一组导体以及一第一导体。该组主动区沿着一第一方向延伸，且位于一第一层。该组电轨沿着该第一方向延伸，且位于一第二层。该组电轨具有一第一宽度。该第一组导体沿着该第一方向延伸，且位于该第二层，并与该组主动区重叠。该第一组导体具有一第二宽度。该第一导体沿着该第一方向延伸，且位于该第二层，并位于该组第一组导体之间。该第一导体具有该第一宽度，且将该组晶体管的一第一晶体管电性耦合到该组晶体管的一第二晶体管。

公开(公告)号：CN115394720A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210470840.9

申请日：2022-04-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志良 ,  吴国晖 ,  蔡庆威 ,  张尚文 ,  田丽钧

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 一种集成电路装置和制造集成电路的方法，集成电路装置包括第一类型主动区域半导体结构、第一栅极导体、与第一类型主动区域半导体结构堆叠的第二类型主动区域半导体结构、以及第二栅极导体。集成电路装置也包括高于两个主动区域半导体结构的前侧导电层、和低于两个主动区域半导体结构的背侧导电层。集成电路装置也包括在前侧导电层中的前侧电源轨和前侧信号线、以及包括在背侧导电层中的背侧电源轨和背侧信号线。集成电路装置也包括连接到前侧电源轨的第一源极导电段、和连接到背侧电源轨的第二源极导电段。集成电路装置还包括连接到前侧信号线或者背侧信号线的漏极导电段。