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公开(公告)号：CN115799261A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210843512.9
申请日：2022-07-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/118
摘要： 一种集成电路及其制造方法，集成电路包括在一源极/漏极区处与一第一作用区结构相交的一第一导体区段及在一源极/漏极区处与一第二作用区结构相交的一第二导体区段。该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开。该第一导体具有与一第一电力轨分开的一远侧边缘，且该第二导体区段经由一通孔连接件连接至一第二电力轨。自该第一电力轨至该第一导体区段的一近侧边缘的一距离比自该第二电力轨至该第二导体区段的一近侧边缘的一距离大一预定距离，该预定距离是该分离距离的一部分。
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公开(公告)号：CN111129013A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911054212.7
申请日：2019-10-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/417
摘要： 一种具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置包括基板中的主动区域。主动区域在第一方向上延伸。半导体装置进一步包括栅极结构，该栅极结构在与第一方向不同的第二方向上延伸。栅极结构跨主动区域延伸。半导体装置进一步包括多个源极/漏极触点，该多个源极/漏极触点在第二方向上延伸并且在栅极结构的相对侧上重叠主动区域中的多个源极/漏极区域。多个源极/漏极触点的第一源极/漏极触点具有第一宽度，并且多个源极/漏极触点的第二源极/漏极触点具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN115526139A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210479143.X
申请日：2022-05-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/394 , H01L27/02 , G06F115/06
摘要： 一种基本布局单元、布局方法和非暂时性计算机可读媒体。一基本布局单元包括金属层区域、布置在金属层区域上方的导电栅极图案、氧化物定义(OD)图案、氧化物定义(金属零)图案上方的金属零层、至少一个切割金属层(CMD)图案及至少一个通孔区域。该基本布局单元可在至少两个非同一功能单元中实现。该至少两个非同一功能单元中的一第一功能单元包括第一互连导电图案，该第一互连导电图案经布置以连接与一第一布局中的至少两个金属零图案对应的金属零结构，且该至少两个非同一功能单元中的一第二功能单元包括第二互连导电图案，该第二互连导电图案经布置以连接与一第二布局中的至少两个金属零图案对应的金属零结构。
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公开(公告)号：CN117914296A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311149710.6
申请日：2023-09-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , H01L27/02 , H01L21/8234
摘要： 本发明的实施例提供了一种触发器，包括第一输入电路、第一NOR逻辑门、堆叠栅极电路、第一NAND逻辑门和输出电路。第一输入电路至少响应于第一数据信号、第一或第二时钟信号产生第一信号。第一NOR逻辑门连接在第一节点和第二节点之间，并且响应于第一信号和第一复位信号产生第二信号。堆叠栅极电路连接在第一节点和第三节点之间，并且响应于第一信号产生第三信号。第一NAND逻辑门连接在第三节点和第四节点之间，并且响应于第三信号和第二复位信号产生第四信号。输出电路连接至第四节点，并且响应于第四信号产生第一输出信号。本发明的实施例还提供了一种制造触发器的方法。
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公开(公告)号：CN116344545A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310089074.6
申请日：2023-02-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234
摘要： 集成电路的金属化结构。在一个实施例中，集成电路包括设置在单元的有源区上方的金属‑至‑扩散(MD)层、设置在单元的有源区上方的栅极、以及包括设置在MD层和栅极上方的M0轨道的第一金属化层。集成电路还包括第二金属化层，该第二金属化层包括设置在第一金属化层上方的M1轨道。M1轨道包括各自与单元的边缘具有第一预定距离的第一M1轨道以及各自与单元的边缘具有第二预定距离的第二M1轨道，其中第一M1轨道比第二M1轨道长。本申请的实施例还公开了集成电路及形成单元布局结构的方法。
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公开(公告)号：CN114914239A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110717839.7
申请日：2021-06-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234
摘要： 一种半导体元件与其制造方法，半导体元件包含基材与在基材的第一侧上的第一晶体管。半导体元件还包含接触第一晶体管的第一区的第一电极。半导体元件还包含沿着第一晶体管的侧壁延伸的间隔件。半导体元件还包含通过间隔件与第一电极的至少一部分隔开的自对准互连结构，其中自对准互连结构延伸通过基材。半导体元件还包含第二电极，该第二电极接触第一电极的最远离基材的表面，其中第二电极直接接触自对准互连结构。
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公开(公告)号：CN116314198A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210901053.5
申请日：2022-07-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/118
摘要： 本申请的实施例提供了半导体器件、集成电路及其制造方法。集成电路包括第一单元和第二单元。第一单元包括在第一方向上延伸的第一多个有源区域和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一多个栅极，第一单元具有由第一多个栅极中的间断限定的第一单元边缘。第二单元包括在第一方向上延伸的第二多个有源区域和在第二方向上延伸的第二多个栅极，第二单元具有由第二多个栅极中的间断限定的第二单元边缘。第二多个有源区域中的每个大于第一多个有源区域中的每个，并且第一单元与第二单元相邻，使得第一单元边缘与第二单元边缘对齐。
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公开(公告)号：CN114784000A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110776630.8
申请日：2021-07-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , G06F30/398
摘要： 一种半导体元件、制造与其设计方法，半导体元件包含基材及位于基材的第一侧上的第一主动区。此半导体元件还包含围绕第一主动区的第一部分的第一栅极结构。此半导体元件还包含位于基材的第二侧上的第二主动区，其中第二侧相对于第一侧。此半导体元件还包含围绕第二主动区的第一部分的第二栅极结构。此半导体元件还包含延伸穿过基材的栅极介层窗，其中栅极介层窗直接连接第一栅极结构，且栅极介层窗直接连接第二栅极结构。
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公开(公告)号：CN219642839U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202321027552.2
申请日：2023-05-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/088
摘要： 一种集成电路(integrated circuit,IC)结构包括在第一方向上在半导体基板中延伸的第一及第二主动区域；第一及第二栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中第一及第二栅极结构中的每一者上覆于第一及第二主动区域中的每一者；第一类金属定义(metal‑like defined,MD)区段，其在第二方向上在第一与第二栅极结构之间延伸，且上覆于第一及第二主动区域中的每一者；及定位在第一MD区段与第一主动区域之间的隔离结构。第一MD区段电连接至第二主动区域且与第一主动区域的在第一及第二栅极结构之间的部分电隔离。
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公开(公告)号：CN220086050U
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202321031080.8
申请日：2023-05-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/528
摘要： 一种半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第一晶体管的第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构。此半导体装置包括第二晶体管的第三源极/漏极结构及第四源极/漏极结构。此第二源极/漏极结构及此第三源极/漏极结构合并为共用源极/漏极结构。此半导体装置包括沿第一横向方向延伸且设置在此共用源极/漏极结构上方的第一互连结构。此半导体装置包括插置于此第一互连结构与此共用源极/漏极结构之间的第一介电结构。
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