发明公开
- 专利标题: 一种基于PMOS管的栅压自举开关电路
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申请号: CN202310305304.8申请日: 2023-03-27
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公开(公告)号: CN116346111A公开(公告)日: 2023-06-27
- 发明人: 王润坚 , 李逸帆 , 许立达 , 李雪勤 , 倪涛 , 王娟娟 , 高林春 , 李晓静 , 曾传滨
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 周初冬
- 主分类号: H03K17/687
- IPC分类号: H03K17/687
摘要:
本发明提供一种基于PMOS管的栅压自举开关电路,其中:采样开关管的控制端连接栅压自举回路的输出端;电荷泵的输出端连接栅压自举回路的输入端;采样开关管采用PMOS管;栅压自举回路依据时钟信号和电荷泵提供的电压信号,实现在保持阶段对栅压自举回路中第一电容施加恒定电压差,使采样开关管处于截止状态;在采样阶段控制采样开关管处于导通状态,且采样开关管的栅源电压保持为预设值;也即,在采样开关管导通时其栅极能有效跟随输入电压的变化,使开关的导通电阻不随输入电压变化,实现栅压自举的功能并且抑制采样开关衬偏效应的影响;同时,本电路不使用具有独立衬底端的NMOS管,使该设计能够适用于标准N阱CMOS工艺。
IPC分类: