公开(公告)号：CN116341259A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310327536.3

申请日：2023-03-30

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李逸帆 ,  王润坚 ,  许立达 ,  李雪勤 ,  倪涛 ,  王娟娟 ,  高林春 ,  李晓静 ,  曾传滨

IPC分类号： G06F30/20 ,  G01R31/26 ,  G06F30/3323 ,  G06F18/00 ,  G06F17/15 ,  G06F119/08 ,  G06F119/16

摘要： 本发明提供一种半导体器件热等效模型的确定方法及系统，利用表征被测半导体器件的热瞬态响应的热时间常数和热阻参数构建福斯特型的热等效模型，再利用建福斯特型的热等效模型模拟的热瞬态响应信号数据和实测的热瞬态响应信号数据进行拟合比对，并根据比对结果确定热等效模型。不仅可以通过热时间常数和热阻参数针对性的反应被测半导体器件的热特征，且采用转换算法简单的福斯特型网络模型构建热等效模型，无需考虑被测半导体器件的结构分界点问题，实现准确度高、适用性强且操作简单确定半导体器件热等效模型的目的。

公开(公告)号：CN116346111A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310305304.8

申请日：2023-03-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王润坚 ,  李逸帆 ,  许立达 ,  李雪勤 ,  倪涛 ,  王娟娟 ,  高林春 ,  李晓静 ,  曾传滨

IPC分类号： H03K17/687

摘要： 本发明提供一种基于PMOS管的栅压自举开关电路，其中：采样开关管的控制端连接栅压自举回路的输出端；电荷泵的输出端连接栅压自举回路的输入端；采样开关管采用PMOS管；栅压自举回路依据时钟信号和电荷泵提供的电压信号，实现在保持阶段对栅压自举回路中第一电容施加恒定电压差，使采样开关管处于截止状态；在采样阶段控制采样开关管处于导通状态，且采样开关管的栅源电压保持为预设值；也即，在采样开关管导通时其栅极能有效跟随输入电压的变化，使开关的导通电阻不随输入电压变化，实现栅压自举的功能并且抑制采样开关衬偏效应的影响；同时，本电路不使用具有独立衬底端的NMOS管，使该设计能够适用于标准N阱CMOS工艺。

公开(公告)号：CN115236475A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210815310.3

申请日：2022-07-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李逸帆 ,  罗家俊 ,  韩郑生 ,  倪涛 ,  王娟娟 ,  曾传滨 ,  高林春 ,  李晓静 ,  孙佳星 ,  刘海南

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统，方法包括：向待测半导体器件连续发送多个冷却不完全的脉冲信号；依次采集各脉冲信号预设时间段对应的电压检测值；预设时段为0～100ns；基于电压检测值确定待测半导体器件的各参考漏电流；基于各脉冲信号之间的漏电流差值及脉冲持续时长拟合自加热效应曲线；如此，由于任意波形发生器可以输出不同脉冲宽度、不同频率的脉冲信号，因此可实现多种工作负荷下的测试；并且由于示波器采集的是每个脉冲信号在0～100ns对应的电压数据，可确保采集到的当前脉冲信号对应的电压数据能准确反映上一脉冲信号自加热余热产生的影响，提高自加热余热累加效应对电压数据影响的测量精度。

公开(公告)号：CN115166464A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210804613.5

申请日：2022-07-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王娟娟 ,  罗家俊 ,  韩郑生 ,  倪涛 ,  高林春 ,  李逸帆 ,  曾传滨 ,  李晓静 ,  刘建章 ,  李多力

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及半导体器件测试技术领域，尤其涉及一种超快脉冲测试方法、装置及系统，该方法包括：对待测器件施加电压幅值递增的脉冲，获得待测器件在不同的脉冲下对应的漏源电流值和漏源电压值；基于不同的脉冲下对应的漏源电流值和漏源电压值，得到待测器件的瞬态漏源电流‑漏源电压曲线以及静态漏源电流‑漏源电压曲线；基于瞬态漏源电流‑漏源电压曲线和静态漏源电流‑漏源电压曲线，确定待测器件的自加热效应对其电学特性的影响，进而能够对半导体器件的自加热效应对其电学特性的影响进行有效分析。

公开(公告)号：CN115184761A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210804575.3

申请日：2022-07-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李逸帆 ,  罗家俊 ,  韩郑生 ,  倪涛 ,  王娟娟 ,  高林春 ,  曾传滨 ,  钱频 ,  王玉娟 ,  卜建辉

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统，双脉冲测量方式通过改变双脉冲间隔时长(冷却时长)来控制散热量，通过监测半导体器件输出电流与双脉冲间隔时长之间的相关性，在时域中观察自加热效应余热引起的电流变化，可准确表征出器件散热的真实情况；并且由于在采集电压值时，是采集脉冲信号0～100ns时间段对应的电压检测值，相当于是自加热效应刚刚开始时采集的电压检测值，自加热效应刚刚开始产生的热量对散热测试的影响很微弱，可以忽略不计，因此可克服自加热效应对散热测试过程的影响，进一步提高散热测试的准确性及精度。

公开(公告)号：CN218331827U

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202221785319.6

申请日：2022-07-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 曾传滨 ,  倪涛 ,  王娟娟 ,  李逸帆 ,  高林春 ,  钱频 ,  张煦 ,  刘建章 ,  蔡小五 ,  赵发展 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本实用新型提供了一种半导体器件自加热效应的测试装置，所述装置包：任意波形发生器；待测半导体器件，所述待测半导体器件的一端与所述任意波形发生器的输出端相连接；示波器，所述示波器的输入端与所述待测半导体器件的另一端相连；如此由于任意波形发生器可以输出不同脉冲宽度、不同频率的脉冲信号，因此可以在多种工作负荷下对半导体器件的自加热效应进行测试；获得不同工作负荷下半导体器件的自加热效应对器件电学特性的测试结果，进而可以有效地为器件结构和电路设计优化提供数据支撑，为器件的实际工作条件提供指导。

公开(公告)号：CN218331828U

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202221785327.0

申请日：2022-07-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 倪涛 ,  王娟娟 ,  孙佳星 ,  高林春 ,  李逸帆 ,  曾传滨 ,  李晓静 ,  李多力 ,  赵发展 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本实用新型涉及半导体器件测量的技术领域，尤其涉及一种超快脉冲测试系统，包括：控制模块，包括继电器组，继电器组包括第一继电器和第二继电器；测试模块，包括脉冲测试单元，脉冲测试单元包括：波形发生器；波形发生器包括：输出端；示波器，包括第一输入端；输出端通过第一继电器连接待测器件的一端，第一输入端通过第二继电器连接待测器件的另一端，该控制模块通过继电器组控制将测试模块与待测器件连接，以通过脉冲测试单元对待测器件进行脉冲测试，进而采用该超快脉冲测试系统能够测量自加热效应对待测器件的电学特性的影响。