本发明公开了一种两端选通器件制备方法及1S1C存储器，该两端选通器件制备方法为：(1)提供一半导体衬底，在半导体衬底上沉积底电极层；(2)在底电极层上沉积绝缘层；(3)对绝缘层进行刻蚀，使该绝缘层中形成多个贯穿的圆孔，圆孔按一定规律排列，且圆孔均位于底电极层上；(4)将步骤(3)得到的样品在O2或Ar气体氛围条件下进行等离子体表面处理，使圆孔底部的底电极层产生损伤，从而导致其表面形成缺陷；(5)向圆孔孔内填充选通管功能层；(6)在选通管功能层表面沉积顶电极层。本发明只需较小的First‑fire电压即可完成First‑fire操作，且无需为选通器件的First‑fire操作设计专用电路。