Invention Publication
- Patent Title: 一种半导体纤维的制备方法
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Application No.: CN202310397673.4Application Date: 2023-04-04
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Publication No.: CN116666192APublication Date: 2023-08-29
- Inventor: 孟利园 , 李西军 , 穆希 , 苏德香 , 赵静立
- Applicant: 西湖大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市西湖区石龙山街18号
- Assignee: 西湖大学
- Current Assignee: 西湖大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市西湖区石龙山街18号
- Agency: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- Agent 薛异荣
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L21/3065

Abstract:
一种半导体纤维的制备方法,包括:提供半导体晶片,所述半导体晶片包括在半导体晶片的厚度方向上由下至下排布的第一区晶片和第二区晶片;在所述第一区晶片的表面形成图形化的掩膜层;以所述掩膜层为掩膜刻蚀第一区晶片,使所述第一区晶片形成若干个间隔的初始纤维条;在所述初始纤维条的侧壁形成保护膜,所述保护膜暴露出初始纤维条侧部的第二区晶片的表面;以所述掩膜层和所述保护膜为掩膜侧向刻蚀第二区晶片,使初始纤维条形成与第二区晶片分立的半导体纤维;去除半导体纤维表面的保护膜和掩膜层。所述半导体纤维的制备方法制备半导体纤维的难度较小。
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IPC分类: