本公开了一种半导体存储装置及其制作工艺，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离、以及多条字线。有源结构设置在衬底中，并且还包括第一有源区以及第二有源区。第一有源区包括多个有源区单元彼此平行并且沿着第一方向延伸，第二有源区设置在第一有源区外侧，环绕所有的有源区单元。浅沟渠隔离设置在衬底中，围绕有源结构。字线设置在衬底内，并与有源区单元交错。字线包括第一字线以及第二字线，部分的有源区单元的一端直接接触第二字线，另一端直接接触第二有源区。藉此，可获得较稳定的结构。