一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T，磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层，第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm～30nm，x=0.28～0.32，以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。