-
-
公开(公告)号：CN105004927B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201510415463.9
申请日：2015-07-15
申请人： 北京东方计量测试研究所
发明人： 黄晓钉
摘要： 本发明提供种桥式电阻,包括标称值相同的四个子电阻,四个子电阻依次连接成四边形,每个子电阻作为桥臂电阻形成所述四边形的个边,四边形的四个顶角上分别设置输出端子,四边形中任意两个对角的输出端子之间的输出电阻值与所述标称值致。本发明提出的新型桥式电阻可完成以下三项任务:1.测定电阻的负载系数;2.模拟等效毫欧至微欧量级的直流电阻;3.模拟等效毫欧量级交流电阻;解决了目前电学计量领域中存在的技术难题。
-
公开(公告)号：CN105301320B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510845852.5
申请日：2015-11-26
申请人： 北京东方计量测试研究所
发明人： 黄晓钉
IPC分类号： G01R17/02
摘要： 一种交流阻抗电桥，包括：标准电流互感器、微伏表、电源及标准电阻和被测电阻，其特征在于：还包括用于接地的电流互感器和电阻，其中，标准电流互感器的一次侧绕组、接地电流互感器的一次侧绕组及被测电阻串联，标准电阻并联在标准电流互感器二次侧，接地电阻并联在接地电流互感器二次侧，接地电阻的低电位端接地，高电位端与被测电阻、标准电阻在电桥中的低电位端连接，微伏表连接在被测电阻在电桥中的高电位端与地之间。
-
公开(公告)号：CN105004927A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510415463.9
申请日：2015-07-15
申请人： 北京东方计量测试研究所
发明人： 黄晓钉
摘要： 本发明提供一种桥式电阻，包括标称值相同的四个子电阻，四个子电阻依次连接成四边形，每一个子电阻作为桥臂电阻形成所述四边形的一个边，四边形的四个顶角上分别设置输出端子，四边形中任意两个对角的输出端子之间的输出电阻值与所述标称值一致。本发明提出的新型桥式电阻可完成以下三项任务：1.测定电阻的负载系数；2.模拟等效毫欧至微欧量级的直流电阻；3.模拟等效毫欧量级交流电阻；解决了目前电学计量领域中存在的技术难题。
-
公开(公告)号：CN102522176A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110426607.2
申请日：2011-12-19
申请人： 北京东方计量测试研究所
IPC分类号： H01C13/00
摘要： 本发明提供一种改善负载效应的可计算交直流差电阻，有效改善了可计算交直流差电阻在通电时电阻丝由于温度变化产生的负载效应，提高了可计算交直流差电阻的稳定性；包括同轴的内金属套筒和外金属套筒，电阻丝位于内金属套筒的中心轴线上，电阻丝为单根直线形组合丝，组合丝包括相互对接而成的前段部分和后段部分，前段部分与后段部分具有相反的电阻温度系数，即其中一段为正温度系数而另一段为负温度系数；组合丝的电阻温度曲线的顶点区呈平台状；沿所述外金属套筒的外表面设置有温度控制装置，所述温度控制装置用于根据组合丝的电阻温度系数曲线的平台区控制所述组合丝的工作温度范围。
-
公开(公告)号：CN102183977A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110034009.0
申请日：2011-01-31
申请人： 北京东方计量测试研究所
发明人： 黄晓钉
IPC分类号： G05D23/24
摘要： 本发明提供一种可控温电阻器及自控温电阻装置，该可控温电阻器包括电阻和加热板，电阻包括电阻壳体，加热板为柔性电热板并贴合在所述电阻壳体的外表面，柔性电热板内置有金属箔电热丝带，电热丝带呈回线排列，柔性电热板设置有电连接端。本发明的可控温电阻器在使用时无需将其放置在控温罐中就能够实现电阻的恒温，降低了使用成本，增强了其稳定性；本发明涉及的自控温电阻装置的体积大幅度减小，仅为可控温电阻器中的电阻的几倍，可以对可控温电阻器的温度进行精确调节，实现高稳定度控温，保证了电阻对温度稳定的要求。
-
公开(公告)号：CN117807349A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311635755.4
申请日：2023-11-30
申请人： 北京东方计量测试研究所
摘要： 一种降低频率误差的交流标准电阻，通过调节电容的引入降低频率误差，在此基础上还可以选用温度系数相反、漂移方向相反、偏差相反的小体积器件电阻串联，降低交流电阻的温度系数和偏差，提高了稳定性，满足了交流量子电阻的传递需求，其特征在于，包括第一电阻的左端通过左端节点连接的高端，所述第一电阻的右端通过中间节点连接第二电阻的左端，所述第二电阻的右端通过右端节点连接低端，所述第一电阻和第二电阻的阻值均为交流标准电阻值的1/2，根据设定的交流标准电阻值大小在所述左端节点与右端节点之间或者在所述中间节点与接地端之间接入减小时间常数的补偿电容。
-
公开(公告)号：CN117098445B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311339985.6
申请日：2023-10-17
申请人： 北京东方计量测试研究所
IPC分类号： H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
摘要： 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T，磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层，第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm～30nm，x=0.28～0.32，以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
-
公开(公告)号：CN117098445A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311339985.6
申请日：2023-10-17
申请人： 北京东方计量测试研究所
IPC分类号： H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
摘要： 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T，磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层，第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm～30nm，x=0.28～0.32，以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
47 条记录 (耗时 0.049 秒)