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公开(公告)号：CN112798867A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011576826.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Inventor： 蔡建臻
Abstract: 本发明提供一种实现组合式量子霍尔电阻样品的基座，其特征在于，包括基座承载板(3)，在所述基座承载板中设有用于放置单体量子霍尔电阻的凹槽(5)，在所述凹槽的周围设有用于分别与所述单体量子霍尔电阻的各电压电极连接的电压电极触点、和分别与所述单体量子霍尔电阻的各电流电极连接的电流电极触点，各所述单体量子霍尔电阻的对应的电压电极通过电压电极用导电条连接于外部电压供给源；各所述单体量子霍尔电阻的对应的电流电极通过电流电极用导电条连接于外部电流供给源；所述电压电极用导电条与所述电流电极用导电条彼此平行。根据本发明，能够以简单结构且低成本地实现量子电阻芯片的组合结构，提高样品器件和材料使用效率。
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公开(公告)号：CN117098445B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311339985.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
Abstract: 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T，磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层，第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm～30nm，x=0.28～0.32，以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
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公开(公告)号：CN117098445A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311339985.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
Abstract: 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T，磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层，第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm～30nm，x=0.28～0.32，以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111060749B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911165146.0
申请日：2019-11-25
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R27/08
Abstract: 一种低场量子电阻测量仪，使用技术成熟、维护成本低的GM制冷机作为冷源进行量子霍尔电阻测量，并通过悬挂机构将多级GM制冷机与杜瓦冷罐相互独立设置以减少振动对量子霍尔电阻芯片的测量不确定度的影响，利用常温下的低频电流比较仪电桥将量子霍尔电阻量值传递给被测电阻，将量子电阻测量仪的测量不确定度保持在10‑8量级，使量子电阻测量仪连续运行成为可能，从设备成本和运行成本上节省大量资金，不需要额外消耗紧缺资源液氦，避免了资源的浪费。采用JT循环系统使量子电阻测量仪即可用石墨烯量子霍尔电阻芯片又可用低场砷化镓量子霍尔电阻芯片进行测量，且设计可拆卸式样品杆，并在样品杆内设置芯片转换装置，提高了设备的通用性。
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公开(公告)号：CN113419097B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110978409.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R17/10
Abstract: 一种四端对交流量子电阻传递电桥及方法，包括供电电源S、开尔文支路A1、瓦格纳支路A0、第一源组合网络A2、第二源组合网络A3、微差补偿网络A4、主比例感应分压器IVD2、第一四端对交流电阻连接点Z1、第二四端对交流电阻连接点Z2、扼流圈H和若干指零仪D，沿主比例感应分压器IVD2的绕组外周面绕制低匝数的隔离感应绕组L0，L0为微差补偿网络A4的一次绕组提供激磁电流，避免A4的一次绕组直接连接供电电源S导致的各平衡指零网络相互影响，实现电桥快速平衡。并通过改变微差补偿网络A4的第二感应分压器T2一次绕组L3与二次绕组L4匝比的方法，仅用一套分压电容即可实现多频点的虚部微差补偿，达到虚部平衡，实现多频点的四端对交流量子电阻传递电桥。
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公开(公告)号：CN108008193B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201711227921.1
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R27/08
Abstract: 本发明涉及一种组合式量子霍尔电阻样品比例校验器，包括校验器本体、标称电阻器组、接线端子、共节点接线器、跳线及输出接头；接线端子为多个，固定安装于所述校验器本体上；所述标称电阻器组为多个，每个电阻器组为一个标称阻值的电阻器件，或由多个标称阻值相同的所述电阻器件并联组成，多个标称电阻器组通过多个所述跳线与所述接线端子之间的电路连接，可改变所述电阻器组之间的电路连接方式，进而形成不同的阻值，同时，通过所述跳线与所述接线端子的连接，形成标准四线法测量方式接入所述输出接头。该比例校验器可以解决组合式量子霍尔电阻样品的校验问题，校验误差相对不确定度达到5×10‑8，还可以校准验证常温电流比较仪。
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公开(公告)号：CN112310276B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202011187623.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种低场量子电阻芯片，其由两量子霍尔电阻单体串联而成。各量子霍尔电阻单体包括输入电流电极、输出电流电极、第一～第四电压电极；两个量子霍尔电阻单体中的第一量子霍尔电阻单体的输出电流电极连接于两个量子霍尔电阻单体中的第二量子霍尔电阻单体的输入电流电极；第一量子霍尔电阻单体的第一、第二电压电极分别连接于第二量子霍尔电阻单体的第四、第三电压电极；第一量子霍尔电阻单体的输入电流电极与输入电流源连接；第二量子霍尔电阻单体的输出电流电极输出工作电流。根据本发明，解决了已有量子霍尔电阻难以在低磁场工作区间准确计量电阻的问题，以低成本实现在低磁场区间工作且不降低电阻计量准确度的低场量子电阻芯片。
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公开(公告)号：CN117665343A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311482129.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及交直流兼容型量子电阻样品基座，包括逐层依次连接的第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层、第四屏蔽层、第五屏蔽层和/或第六屏蔽层，其中第五屏蔽层设有样品容置区，通过合理设置第一屏蔽层至第四屏蔽层的结构，使得基座可在直流用途和交流用途之间切换，即未设置第六屏蔽层时用于直流，设置第六屏蔽层时用于交流。同时，可以在第一屏蔽层上设置符合TO‑8标准的管脚，来提高适用样品的兼容性。另外，相比于帽层连接工艺效率更高，且没有复杂的加工工艺，因此基本不会增加成本。
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