本发明涉及半导体技术领域，提供一种功率器件及其制备方法，该功率器件包括：IGBT；开关模块，与所述IGBT发射极和栅极连接，用于在所述IGBT短路时将所述IGBT发射极和栅极短接；所述开关模块设置于所述IGBT内部。通过设置开关模块在IGBT处于短路状态时将其发射极和栅极短接，降低电流，保护该功率器件，以解决现有技术中通过Driver IC控制IGBT器件关断降低电流会极大的增加器件的导通损耗，使器件的工作效率降低的问题。