发明公开
- 专利标题： 磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置及方法
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申请号： CN202210892600.8申请日： 2022-10-18
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公开(公告)号： CN117305760A公开(公告)日： 2023-12-29
- 发明人: 孙刚 , 马国佳 , 刘星 , 余庆陶 , 张昊泽 , 马贺 , 王达望
- 申请人： 中国航空制造技术研究院
- 申请人地址： 北京市朝阳区八里桥北东军庄1号
- 专利权人： 中国航空制造技术研究院
- 当前专利权人： 中国航空制造技术研究院
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区八里桥北东军庄1号
- 主分类号： C23C14/02
- IPC分类号： C23C14/02 ; C23C14/14 ; C23C14/35 ; C23C16/26 ; C23C16/34 ; C23C16/36 ; C23C16/50
摘要：
本发明涉及表面工程技术领域，特别是涉及一种磁控溅射复合PECVD制备类金刚石膜的装置及方法。本发明提供了一种DLC膜的制备装置及方法，本发明采用含双层栅网的PECVD装置，首先采用磁控溅射法制备金属过渡层，实现了基体到DLC涂层的良好过渡，并结合双层栅网结构以获得致密结构的DLC膜层，从而实现兼具良好抗腐蚀和耐摩擦性能的DLC膜层的制备。
IPC分类:
