- 专利标题: 基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法
-
申请号: CN202311185660.7申请日: 2023-09-13
-
公开(公告)号: CN117350223B公开(公告)日: 2024-08-27
- 发明人: 李巍巍 , 杨柳 , 马凯 , 谭令其 , 李盈 , 马燕君 , 李歆蔚 , 林磊 , 邓天豪 , 时晓洁 , 王智强 , 辛国庆
- 申请人: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
- 申请人地址: 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号;
- 专利权人: 广东电网有限责任公司电力科学研究院,华中科技大学
- 当前专利权人: 广东电网有限责任公司电力科学研究院,华中科技大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号;
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 王颖翀
- 主分类号: G06F30/373
- IPC分类号: G06F30/373 ; H02M7/5387 ; H02M1/088 ; H02M1/00 ; G06N3/126 ; G06F111/04 ; G06F111/06 ; G06F119/06
摘要:
本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法,属于换流器参数设计领域,该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围,再结合损耗特性在限值范围内优化取值,可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题;充分考虑SiC器件开关损耗特性较优,导通损耗特性较劣的情况,通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响,以系统稳定为基本要求,将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数,以开关频率、无源元器件为决策变量,从而在不增加损耗的前提下增大功率密度,优化MMC的体积占用。
公开/授权文献
- CN117350223A 基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法 公开/授权日:2024-01-05