-
公开(公告)号：CN117849565B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311720609.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。
-
公开(公告)号：CN117350223B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311185660.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/373 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/00 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。
-
公开(公告)号：CN117350223A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311185660.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/373 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/00 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。
-
公开(公告)号：CN117350215A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311180307.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , H02M7/219 , H02M1/088 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种单桥臂模块化多电平换流器的解析仿真模型和方法，属于电力系统电磁暂态实时解析仿真技术领域，所述解析仿真模型包括：单桥臂模块化多电平换流器等效电路、平均值模型和调制与均压控制模块；通过平均值模型将单桥臂模块化多电平换流器转化为了每相具有两个桥臂的等效电路；每个电压源的输出通过平均值模型计算得到，也即将由大量电子元件组成的桥臂模型转化为了一个由函数控制的可控电压源，提升了仿真的速度，使仿真模型可用于均压控制、损耗计算以及谐波分析等研究，由此解决现有的单桥臂模块化多电平换流器的仿真模型的解析仿真效率低且应用范围有限的技术问题。
-
公开(公告)号：CN117849565A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311720609.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119420149A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411542188.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: H02M1/00 , H02M1/12 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种SiC MMC子模块电容电压波动抑制方法及系统，属于电子电力技术领域；根据针对SiC MMC子模块的最优宽频谐波环流注入边界和次数的分析结果，确定了同时注入2次、4次和8次谐波环流和3次谐波电压的子模块电容电压波动优化模型，能够充分利用SiC MMC具有更高控制带宽的特性；通过求解子模块电容电压波动优化模型，确定需要注入的2次、4次和8次谐波环流参考值的幅值和相位及相应3次谐波电压的幅值和相位，进而通过注入2次、4次和8次谐波环流，并联合3次谐波电压注入实现宽频谐波联合注入，减小了子模块电容电压波动，实现了针对SiC MMC子模块的电容电压波动抑制方法，具有较高的抑制效果。
-
公开(公告)号：CN117350215B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202311180307.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , H02M7/219 , H02M1/088 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种单桥臂模块化多电平换流器的解析仿真模型和方法，属于电力系统电磁暂态实时解析仿真技术领域，所述解析仿真模型包括：单桥臂模块化多电平换流器等效电路、平均值模型和调制与均压控制模块；通过平均值模型将单桥臂模块化多电平换流器转化为了每相具有两个桥臂的等效电路；每个电压源的输出通过平均值模型计算得到，也即将由大量电子元件组成的桥臂模型转化为了一个由函数控制的可控电压源，提升了仿真的速度，使仿真模型可用于均压控制、损耗计算以及谐波分析等研究，由此解决现有的单桥臂模块化多电平换流器的仿真模型的解析仿真效率低且应用范围有限的技术问题。
-
公开(公告)号：CN117316925B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311165911.5
申请日：2023-09-11
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01L23/538 , H01L23/482
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种多芯片SiC功率模块动态均流的布局布线优化方法及系统，首先，针对功率模块基板铜图案与芯片布局优化，提出三条设计原则，在DBC基板尺寸、功率/驱动端子尺寸、键合线直径及高度、芯片各电极的并联键合线数量及间距、并联芯片数量均不变的前提下，提出了多芯片SiC功率模块基板铜图案与芯片布局设计流程；然后，以布局优化后的功率模块为研究对象，提出了一种调整芯片键合线连接点位置的布线优化方案，该方案结合响应面建模法和动态均流等式，精确调控并联SiC MOSFET芯片功率源极键合线的长度与角度，提高了布线优化的精度。
-
公开(公告)号：CN117318513A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311189619.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种SiC MMC优化调制的方法及装置。该方法包括：选择Nt个桥臂子模块计算待优化调制的SiC MMC的桥臂电压的参考波，其中，Nt＝N/2，N为实际的桥臂子模块数量；对各相电压的参考波放大进行补偿，基于桥臂子模块输出电数量压的参考波对应的子模块数量Nt计算得到各相 N*jo；根据各相对应的子模块数量N*jo进行NLM‑PWM调制，分别得到各相对应的上/下桥臂子模块数量；将上/下桥臂子模块数量分别乘以补偿系数2，并进行再调制得到目标上桥臂子模块数量和目标下桥臂子模块数量；根据计算得到的上/下桥臂子模块数量实时控制其对应的桥臂在每一时刻的子模块数量，以使SiC MMC完成优化调制。实现了SiC MMC高频CMV、电能质量与运行效率的综合优化。
-
公开(公告)号：CN117316925A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311165911.5
申请日：2023-09-11
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01L23/538 , H01L23/482
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种多芯片SiC功率模块动态均流的布局布线优化方法及系统，首先，针对功率模块基板铜图案与芯片布局优化，提出三条设计原则，在DBC基板尺寸、功率/驱动端子尺寸、键合线直径及高度、芯片各电极的并联键合线数量及间距、并联芯片数量均不变的前提下，提出了多芯片SiC功率模块基板铜图案与芯片布局设计流程；然后，以布局优化后的功率模块为研究对象，提出了一种调整芯片键合线连接点位置的布线优化方案，该方案结合响应面建模法和动态均流等式，精确调控并联SiC MOSFET芯片功率源极键合线的长度与角度，提高了布线优化的精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.084 seconds)
