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公开(公告)号：CN117350215B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202311180307.X
申请日：2023-09-13
申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , H02M7/219 , H02M1/088 , H02M1/00
摘要： 本发明公开了一种单桥臂模块化多电平换流器的解析仿真模型和方法，属于电力系统电磁暂态实时解析仿真技术领域，所述解析仿真模型包括：单桥臂模块化多电平换流器等效电路、平均值模型和调制与均压控制模块；通过平均值模型将单桥臂模块化多电平换流器转化为了每相具有两个桥臂的等效电路；每个电压源的输出通过平均值模型计算得到，也即将由大量电子元件组成的桥臂模型转化为了一个由函数控制的可控电压源，提升了仿真的速度，使仿真模型可用于均压控制、损耗计算以及谐波分析等研究，由此解决现有的单桥臂模块化多电平换流器的仿真模型的解析仿真效率低且应用范围有限的技术问题。
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公开(公告)号：CN117316925B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311165911.5
申请日：2023-09-11
申请人： 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/482
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种多芯片SiC功率模块动态均流的布局布线优化方法及系统，首先，针对功率模块基板铜图案与芯片布局优化，提出三条设计原则，在DBC基板尺寸、功率/驱动端子尺寸、键合线直径及高度、芯片各电极的并联键合线数量及间距、并联芯片数量均不变的前提下，提出了多芯片SiC功率模块基板铜图案与芯片布局设计流程；然后，以布局优化后的功率模块为研究对象，提出了一种调整芯片键合线连接点位置的布线优化方案，该方案结合响应面建模法和动态均流等式，精确调控并联SiC MOSFET芯片功率源极键合线的长度与角度，提高了布线优化的精度。
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公开(公告)号：CN117318513A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311189619.7
申请日：2023-09-14
申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： H02M7/483 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开了一种SiC MMC优化调制的方法及装置。该方法包括：选择Nt个桥臂子模块计算待优化调制的SiC MMC的桥臂电压的参考波，其中，Nt＝N/2，N为实际的桥臂子模块数量；对各相电压的参考波放大进行补偿，基于桥臂子模块输出电数量压的参考波对应的子模块数量Nt计算得到各相 N*jo；根据各相对应的子模块数量N*jo进行NLM‑PWM调制，分别得到各相对应的上/下桥臂子模块数量；将上/下桥臂子模块数量分别乘以补偿系数2，并进行再调制得到目标上桥臂子模块数量和目标下桥臂子模块数量；根据计算得到的上/下桥臂子模块数量实时控制其对应的桥臂在每一时刻的子模块数量，以使SiC MMC完成优化调制。实现了SiC MMC高频CMV、电能质量与运行效率的综合优化。
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公开(公告)号：CN117316925A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311165911.5
申请日：2023-09-11
申请人： 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/482
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种多芯片SiC功率模块动态均流的布局布线优化方法及系统，首先，针对功率模块基板铜图案与芯片布局优化，提出三条设计原则，在DBC基板尺寸、功率/驱动端子尺寸、键合线直径及高度、芯片各电极的并联键合线数量及间距、并联芯片数量均不变的前提下，提出了多芯片SiC功率模块基板铜图案与芯片布局设计流程；然后，以布局优化后的功率模块为研究对象，提出了一种调整芯片键合线连接点位置的布线优化方案，该方案结合响应面建模法和动态均流等式，精确调控并联SiC MOSFET芯片功率源极键合线的长度与角度，提高了布线优化的精度。
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公开(公告)号：CN117350223B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311185660.7
申请日：2023-09-13
申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/373 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/00 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/06
摘要： 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。
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公开(公告)号：CN117182225A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171272.3
申请日：2023-09-11
申请人： 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC分类号： B23K1/00 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/19 , B23K103/00
摘要： 本发明属于石墨活性钎焊技术领域，尤其涉及一种焊接石墨的铜框架活性钎焊的焊接方法及系统，包括以下步骤：S1，将铜箔经过酸、丙酮、乙醇清洗后，在铜箔两侧均匀附着一层极薄的含有活性元素锡基钎料并迅速烘干；S2，将两侧附着活性元素的铜箔两面贴合石墨，依次将石墨母材、铜箔摆放至所需厚度后固定并放入真空钎焊炉中；S3，抽真空低至10‑3Pa时，开始随炉升温，在200‑350℃时，保温10‑30min后进行排胶，将炉升温至钎焊连接温度900‑1050℃后，保温10‑30min并施加500‑1500kg压力，冷却后即可得到石墨块材。本发明采用铜为钎焊焊料的框架，制备的钎焊石墨可实现较好的钎焊连接，接头无裂纹、气孔等缺陷，具有节省焊料，生产效率高，制备过程简单等优点。
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公开(公告)号：CN117350223A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311185660.7
申请日：2023-09-13
申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/373 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/00 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/06
摘要： 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。
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公开(公告)号：CN117350215A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311180307.X
申请日：2023-09-13
申请人： 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , H02M7/219 , H02M1/088 , H02M1/00
摘要： 本发明公开了一种单桥臂模块化多电平换流器的解析仿真模型和方法，属于电力系统电磁暂态实时解析仿真技术领域，所述解析仿真模型包括：单桥臂模块化多电平换流器等效电路、平均值模型和调制与均压控制模块；通过平均值模型将单桥臂模块化多电平换流器转化为了每相具有两个桥臂的等效电路；每个电压源的输出通过平均值模型计算得到，也即将由大量电子元件组成的桥臂模型转化为了一个由函数控制的可控电压源，提升了仿真的速度，使仿真模型可用于均压控制、损耗计算以及谐波分析等研究，由此解决现有的单桥臂模块化多电平换流器的仿真模型的解析仿真效率低且应用范围有限的技术问题。
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公开(公告)号：CN116190330B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310142336.0
申请日：2023-02-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473
摘要： 本发明涉及电子设备散热技术领域，且公开了基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器，包括功率模块，还包括散热基板、冷源装置和分流歧管；散热基板设置于功率模块上，散热基板远离功率模块一侧且位于功率模块发热区域的背面设置有微通道，用于承载功率模块并对功率模块进行散热。该基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器，可通过优化散热基板上的微通道，初步改变功率模块的局部散热性能，避免多热源系统散热温度均匀性差的情况发生，再通过分流歧管配合冷源装置，基于热源布局特点改变微通道内部冷流的流入位置及流出位置，能够进一步实现定向强化冷却效果，达到基于热点区域的定向强化冷却且散热效率高的效果。
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公开(公告)号：CN115611230A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211335006.5
申请日：2022-10-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种微电极及其制备方法和应用。本发明的微电极的制备方法，包括以下步骤：在PDMS基体上首先旋涂聚二甲基戊二酰亚胺，然后再旋涂光刻胶，加热；根据需要的电极图案，对旋涂有光刻胶的PDMS基体进行曝光、显影；在PDMS基体上制备电极，然后剥离未曝光的光刻胶和聚二甲基戊二酰亚胺，即制备得到微电极。本发明的微电极的制备方法，利用聚二甲基戊二酰亚胺能够很好地旋涂在高疏水的PDMS基体上的特性，可以在不破坏PDMS基体结构的情况下旋涂上光刻胶，这样既避免了使用刻蚀和转印的复杂工艺，同时也可以快速制备大面积微米级别的微电极；本发明利用光刻技术来制备电极图案，可以快速实现制备微米级别的电极，从而实现智能玻璃及透明显示的应用。
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