发明公开
- 专利标题： 一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法
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申请号： CN202311325482.3申请日： 2023-10-13
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公开(公告)号： CN117431510A公开(公告)日： 2024-01-23
- 发明人: 居炎鹏 , 李心然 , 王永超 , 赵泽良 , 王伟涛 , 卢俊男 , 王留土 , 范振清 , 冯越 , 段于奇 , 王永康 , 李洋洋 , 杨志刚 , 陈渊博 , 张亚萌
- 申请人： 河南东微电子材料有限公司
- 申请人地址： 河南省郑州市航空港区新港大道与人民路交叉口智能终端手机产业园B区12号楼1、2层
- 专利权人： 河南东微电子材料有限公司
- 当前专利权人： 河南东微电子材料有限公司
- 当前专利权人地址： 河南省郑州市航空港区新港大道与人民路交叉口智能终端手机产业园B区12号楼1、2层
- 代理机构： 郑州浩翔专利代理事务所
- 代理商 边延松
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C22C19/07 ; C22C38/10 ; C22C38/00
摘要：
本发明公开了一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法，包括称取中间合金粉高能球磨活化、镀钴处理、真空预热压、热等静压热压烧结、背板焊接等步骤。该方法能够很好地制备出高致密的符合磁旋存储用的钴铁硼靶材，在较低温度下成型且提高了钴铁硼靶材的透磁率(PTF)；并且真空预热压过程中增加的粉料排气过程能够有效地防止内裂纹产生，整体有效降低了真空热压温度、降低了经济成本。
IPC分类:
