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公开(公告)号：CN112355461A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011290462.3
申请日：2020-11-18
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种镁靶材与铜背板焊接的方法，现有技术中，包括热等静压、电子束、离子焊等方法进行焊接靶材，容易造成靶材变形及靶材晶粒尺寸异常长大，而且不利控制成本，如果通过既能降低成本，还保证溅射需要的焊接强度，可以在传统焊接上进行创新，本发明从降低成本和阻止镁靶材氧化为出入点，发明内容有：对镁靶材和背板焊接面进行处理；将镁靶材和背板、钎料块放置氩气气氛平台中实施钎焊，实施钎焊的温度略高于钎料熔点即可。该平台具有抽真空和能在线操作功能，大大降低了制造成本，而且从钎料成分上进行改进，有助于提升焊接结合强度，经该发明方法实施的焊接强度都能达50Mpa以上。
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公开(公告)号：CN115415523B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211121272.8
申请日：2022-09-15
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明提供一种镍铂合金靶材制备方法，包括以下依次方法：将镍锭和铂锭清洗后熔炼成锭；将镍铂锭气雾化成镍铂合金粉；将镍铂合金粉冷等静压成型生坯；将镍铂生坯热压成型成靶坯；将镍铂靶坯经机加工成规定的靶材。本发明方法以高温气雾化制粉经冷等静压后多级热压来实现镍铂合金靶材制备，该发明工艺可控性好，可获得晶粒无取向、成分均匀性好和致密度高的镍铂靶材，可有效降低设备投资而降低成本。
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公开(公告)号：CN113084150B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110310641.7
申请日：2021-03-24
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种钌钴铼合金粉的制备方法，其步骤包括：一、按一定质量比称取钌粉（纯度99.99%）、钴片（纯度99.99%）、铼粉（纯度99.99%）；二、将原料混合放入中频真空感应炉中，在氩气保护下进行多次熔炼，得到均匀化的钌钴铼合金液；三、将母合金液经中间包导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到粉末；四、将步骤三所得粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，获得钌钴铼合金粉末产品。本发明通过限定原料和控制气雾化法工艺，可以制备纯度高于99.95%、平均粒径为15μm的钌钴铼合金粉末，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好。本发明工艺流程简单，适合批量化生产，满足磁控溅射靶材制备对高质量钌钴铼合金粉的要求。
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公开(公告)号：CN116815138A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310848020.3
申请日：2023-07-12
申请人： 河南东微电子材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14 , C22B9/04 , C22B9/02 , C22B9/20 , C22B23/06 , C22B23/02 , C22B11/02 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22C5/04 , C22F1/14 , C22F1/10 , C21D8/02 , B21B3/00
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种钴钌靶材及其制备方法，本发明以纯度为2N8(99.8％)的钴锭和纯度为3N(99.9％)的钌锭经过真空蒸馏和电弧熔炼进行纯化，得到高纯度的高纯度的4N(99.99％)钴锭和4N(99.99％)钌锭；然后采用旋转热轧工艺，得到晶粒尺寸均匀、晶粒取向度高的钴钌靶材，克服传统轧制工艺制备的靶材会出现晶粒尺寸不均匀和晶粒取向杂乱等问题，本发明有效地提高靶材晶粒尺寸均匀度和晶粒取向度。并且具有制备工艺简单，能大幅降低生产周期，降低生产成本，适合大批量生产的优点。
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公开(公告)号：CN113416913B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110746747.1
申请日：2021-07-02
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化镁靶材背板的氧化铝涂层制备方法，步骤包括：将氧化镁靶材溅射面、背板非喷涂面均用耐高温布包裹保护；清洗喷涂的部位；对喷涂部位进行喷砂处理；再次清洗喷涂部位；等离子喷涂工艺进行氧化铝喷涂；氧化铝涂层进行磨削抛光处理。本发明的氧化铝涂层能在磁控溅射中保护氧化镁靶材和背板，能有效避免焊接层料因发热而受损影响磁控溅射，延长氧化镁靶材使用寿命，对降低镀膜不良率，提高成膜质量起着至关重要作用。
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公开(公告)号：CN112517917B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011336758.4
申请日：2020-11-25
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于铬钛靶材的CrTiLa合金粉的制备方法，通过气雾化方法制备，包括：按一定量比称取Cr粉（纯度99.99%）、Ti粉（纯度99.95%）、La粉（纯度99.9%）；将混合粉放入中频真空感应炉中，在氩气气氛下进行多次熔炼，得到均匀化的CrTiLa合金液；将CrTiLa合金液导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到合金粉末；最后将CrTiLa合金粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，得到最终合金粉末。通过本发明专利方案制的合金粉末，粒径细小，平均粒径能达2～30μm，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好，满足磁记录介质靶材制备用粉体要求。
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公开(公告)号：CN113084150A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110310641.7
申请日：2021-03-24
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种钌钴铼合金粉的制备方法，其步骤包括：一、按一定质量比称取钌粉（纯度99.99%）、钴片（纯度99.99%）、铼粉（纯度99.99%）；二、将原料混合放入中频真空感应炉中，在氩气保护下进行多次熔炼，得到均匀化的钌钴铼合金液；三、将母合金液经中间包导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到粉末；四、将步骤三所得粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，获得钌钴铼合金粉末产品。本发明通过限定原料和控制气雾化法工艺，可以制备纯度高于99.95%、平均粒径为15μm的钌钴铼合金粉末，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好。本发明工艺流程简单，适合批量化生产，满足磁控溅射靶材制备对高质量钌钴铼合金粉的要求。
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公开(公告)号：CN112371987A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011268348.0
申请日：2020-11-13
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种铁钴硼铬铝合金粉的制备方法，其步骤包括：一、按一定质量比称取铁块（纯度99.99%）、钴片（纯度99.99%）、铁硼粉（纯度99.9%，粒度>300μm）、铬块（纯度99.99%）、铝块（纯度99.99%）；二、将原料混合放入中频真空感应炉中，在氩气保护下进行多次熔炼，得到均匀化的铁钴硼铬铝合金液；三、将母合金液经中间包导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到粉末；四、将步骤三所得粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，获得铁钴硼铬铝合金粉末产品。本发明通过限定原料和控制气雾化法工艺，可以制备纯度高于99.95%、平均粒径为56μm的铁钴硼铬铝合金粉末，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好。本发明工艺流程简单，适合批量化生产，满足磁控溅射靶材制备对高质量铁钴硼铬铝合金粉的要求。
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公开(公告)号：CN117431510A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311325482.3
申请日：2023-10-13
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法，包括称取中间合金粉高能球磨活化、镀钴处理、真空预热压、热等静压热压烧结、背板焊接等步骤。该方法能够很好地制备出高致密的符合磁旋存储用的钴铁硼靶材，在较低温度下成型且提高了钴铁硼靶材的透磁率(PTF)；并且真空预热压过程中增加的粉料排气过程能够有效地防止内裂纹产生，整体有效降低了真空热压温度、降低了经济成本。
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公开(公告)号：CN116878271A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310826541.9
申请日：2023-07-07
申请人： 河南东微电子材料有限公司
IPC分类号： F27B14/04 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27B14/20 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/35 , C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种等离子体熔炼炉及高致密MgO靶材的制备方法。熔炼炉具有：炉体、氧化镁坩埚以及感应等离子枪，氧化镁坩埚嵌设在炉体内部，感应等离子枪竖直设置在氧化镁坩埚上方，其枪口置入氧化镁坩埚内。感应等离子枪包括氧化镁外管、石墨引发棒以及感应线圈组成，石墨引发棒穿设在氧化镁外管内，感应线圈套设在氧化镁外管外壁，感应等离子枪的上部连通至氩气源，感应等离子枪的下部枪口为等离子焰出口。本发明利用等离子熔炼工艺制备高致密MgO靶材，步骤少，周期短，能减少其他杂质的混入，能保证靶材高纯度，MgO靶材的致密度能达到99.99％以上。
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