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公开(公告)号：CN118026647B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410120829.9
申请日：2024-01-29
申请人： 河南东微电子材料有限公司
IPC分类号： C04B35/053 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08
摘要： 本发明涉及陶瓷靶材技术领域，具体涉及一种高透明氧化镁靶材及其制备方法。所述靶材由大颗粒和小颗粒两种氧化镁粉末以及粘结剂制备而成，所述大颗粒和小颗粒氧化镁粉末的用量比例为6～8:3，所述大颗粒氧化镁粉末的平均粒径为140～270nm，小颗粒氧化镁粉末的平均粒径为20～30nm。所述的高透明氧化镁靶材的制备方法包括以下步骤：(1)将大颗粒和小颗粒两种氧化镁粉末进行混合；(2)将步骤(1)混合后的氧化镁进行模压成型，得到氧化镁素坯；(3)将步骤(2)中所得的氧化镁素坯进行低温烘烤；(4)将步骤(3)中进行低温烘烤过的氧化镁素坯进行常压烧结；(5)将步骤(4)中所得的氧化镁烧结体进行热等静压烧结即得。
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公开(公告)号：CN116815138A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310848020.3
申请日：2023-07-12
申请人： 河南东微电子材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14 , C22B9/04 , C22B9/02 , C22B9/20 , C22B23/06 , C22B23/02 , C22B11/02 , C22C1/02 , C22C19/07 , C22C5/04 , C22F1/14 , C22F1/10 , C21D8/02 , B21B3/00
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种钴钌靶材及其制备方法，本发明以纯度为2N8(99.8％)的钴锭和纯度为3N(99.9％)的钌锭经过真空蒸馏和电弧熔炼进行纯化，得到高纯度的高纯度的4N(99.99％)钴锭和4N(99.99％)钌锭；然后采用旋转热轧工艺，得到晶粒尺寸均匀、晶粒取向度高的钴钌靶材，克服传统轧制工艺制备的靶材会出现晶粒尺寸不均匀和晶粒取向杂乱等问题，本发明有效地提高靶材晶粒尺寸均匀度和晶粒取向度。并且具有制备工艺简单，能大幅降低生产周期，降低生产成本，适合大批量生产的优点。
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公开(公告)号：CN113416913B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110746747.1
申请日：2021-07-02
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种氧化镁靶材背板的氧化铝涂层制备方法，步骤包括：将氧化镁靶材溅射面、背板非喷涂面均用耐高温布包裹保护；清洗喷涂的部位；对喷涂部位进行喷砂处理；再次清洗喷涂部位；等离子喷涂工艺进行氧化铝喷涂；氧化铝涂层进行磨削抛光处理。本发明的氧化铝涂层能在磁控溅射中保护氧化镁靶材和背板，能有效避免焊接层料因发热而受损影响磁控溅射，延长氧化镁靶材使用寿命，对降低镀膜不良率，提高成膜质量起着至关重要作用。
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公开(公告)号：CN112517917B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011336758.4
申请日：2020-11-25
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于铬钛靶材的CrTiLa合金粉的制备方法，通过气雾化方法制备，包括：按一定量比称取Cr粉（纯度99.99%）、Ti粉（纯度99.95%）、La粉（纯度99.9%）；将混合粉放入中频真空感应炉中，在氩气气氛下进行多次熔炼，得到均匀化的CrTiLa合金液；将CrTiLa合金液导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到合金粉末；最后将CrTiLa合金粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，得到最终合金粉末。通过本发明专利方案制的合金粉末，粒径细小，平均粒径能达2～30μm，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好，满足磁记录介质靶材制备用粉体要求。
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公开(公告)号：CN113084150A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110310641.7
申请日：2021-03-24
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种钌钴铼合金粉的制备方法，其步骤包括：一、按一定质量比称取钌粉（纯度99.99%）、钴片（纯度99.99%）、铼粉（纯度99.99%）；二、将原料混合放入中频真空感应炉中，在氩气保护下进行多次熔炼，得到均匀化的钌钴铼合金液；三、将母合金液经中间包导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到粉末；四、将步骤三所得粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，获得钌钴铼合金粉末产品。本发明通过限定原料和控制气雾化法工艺，可以制备纯度高于99.95%、平均粒径为15μm的钌钴铼合金粉末，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好。本发明工艺流程简单，适合批量化生产，满足磁控溅射靶材制备对高质量钌钴铼合金粉的要求。
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公开(公告)号：CN110091178B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910354325.2
申请日：2019-04-29
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射用靶材的回收系统及其回收工艺，包括传送机构、第一清洗机构、烘干机构、第二清洗机构、打磨机构、转运车、切割机构和高压锻造炉，所述传送机构包括传送轨道，传送轨道内设有滚轮，滚轮设置于活动连接板上，活动连接板的两端设有连接端头，所述连接端头上连接固定在连接链条的两端，传送轨道的两端设有第一链轮，所述传送轨道上固定设有第一电机，第一电机的输出端设有第二链轮，所述连接链条依次与所述第一链轮和所述第二链轮相链接。有益效果：使用方便，可在打磨的同时进行有机溶剂清洗，进而连续进行回收，增加了回收的效率。具有简化回收工艺，回收后的靶材可继续用于磁控溅射中，节约了成本的优点。
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公开(公告)号：CN112371987A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011268348.0
申请日：2020-11-13
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种铁钴硼铬铝合金粉的制备方法，其步骤包括：一、按一定质量比称取铁块（纯度99.99%）、钴片（纯度99.99%）、铁硼粉（纯度99.9%，粒度>300μm）、铬块（纯度99.99%）、铝块（纯度99.99%）；二、将原料混合放入中频真空感应炉中，在氩气保护下进行多次熔炼，得到均匀化的铁钴硼铬铝合金液；三、将母合金液经中间包导入高温气雾化炉，合金液流入雾化室进行气雾化分散，冷却后得到粉末；四、将步骤三所得粉末进行超声洗涤、干燥、分级筛分后，获得铁钴硼铬铝合金粉末产品。本发明通过限定原料和控制气雾化法工艺，可以制备纯度高于99.95%、平均粒径为56μm的铁钴硼铬铝合金粉末，该粉合金粉成分均匀、杂质少、流动性好。本发明工艺流程简单，适合批量化生产，满足磁控溅射靶材制备对高质量铁钴硼铬铝合金粉的要求。
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公开(公告)号：CN118930246A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411168325.0
申请日：2024-08-23
申请人： 河南东微电子材料有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/08
摘要： 本发明涉及陶瓷靶材技术领域，具体涉及一种IGZO靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤1，分别制备由In2O3粉体、ZnO粉体、Ga2O3粉体混合形成的第一批次纳米粉体浆料和第二批次纳米粉体浆料，所述第一、二批次纳米粉体浆料固含量分别为55‑67wt％、46‑55wt％；步骤2，将第一批次浆料和第二批次浆料干燥造粒，制备平均粒径不同的第一批次颗粒和第二批次颗粒；步骤3，将所述第一批次颗粒与所述第二批次颗粒混合后采用模压‑冷等静压制备得到靶材素坯；步骤4，将步骤3所得靶材素坯采用烧结工艺制备得到IGZO靶材。该制备方法通过减少颗粒之间的间隙，提升松装密度，进而提升静压后的素坯密度及烧结后的靶材致密度。
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公开(公告)号：CN118026647A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410120829.9
申请日：2024-01-29
申请人： 河南东微电子材料有限公司
IPC分类号： C04B35/053 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08
摘要： 本发明涉及陶瓷靶材技术领域，具体涉及一种高透明氧化镁靶材及其制备方法。所述靶材由大颗粒和小颗粒两种氧化镁粉末以及粘结剂制备而成，所述大颗粒和小颗粒氧化镁粉末的用量比例为6～8:3，所述大颗粒氧化镁粉末的平均粒径为140～270nm，小颗粒氧化镁粉末的平均粒径为20～30nm。所述的高透明氧化镁靶材的制备方法包括以下步骤：(1)将大颗粒和小颗粒两种氧化镁粉末进行混合；(2)将步骤(1)混合后的氧化镁进行模压成型，得到氧化镁素坯；(3)将步骤(2)中所得的氧化镁素坯进行低温烘烤；(4)将步骤(3)中进行低温烘烤过的氧化镁素坯进行常压烧结；(5)将步骤(4)中所得的氧化镁烧结体进行热等静压烧结即得。
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公开(公告)号：CN117431510A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311325482.3
申请日：2023-10-13
申请人： 河南东微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁旋存储用钴铁硼靶材的制备方法，包括称取中间合金粉高能球磨活化、镀钴处理、真空预热压、热等静压热压烧结、背板焊接等步骤。该方法能够很好地制备出高致密的符合磁旋存储用的钴铁硼靶材，在较低温度下成型且提高了钴铁硼靶材的透磁率(PTF)；并且真空预热压过程中增加的粉料排气过程能够有效地防止内裂纹产生，整体有效降低了真空热压温度、降低了经济成本。
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