发明公开
- 专利标题： 一种多层沉积外延片及其生长方法
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申请号： CN202311574192.2申请日： 2023-11-23
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公开(公告)号： CN117457717A公开(公告)日： 2024-01-26
- 发明人: 程斌 , 白俊春 , 贾永
- 申请人： 江苏芯港半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市睢宁县空港经济开发区苏杭路北、观音大道西
- 专利权人： 江苏芯港半导体有限公司
- 当前专利权人： 江苏芯港半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市睢宁县空港经济开发区苏杭路北、观音大道西
- 代理机构： 北京博识智信专利代理事务所
- 代理商 唐棉棉
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/20 ; H01L29/207 ; H01L29/205 ; H01L29/778 ; H01L21/335 ; H01L21/02
摘要：
本发明公开了半导体技术领域的一种多层沉积外延片及其生长方法，在衬底材上依次设置AlN成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层；所述缓冲层为掺杂Fe的AlGaN缓冲层和掺杂C的AlGaN缓冲层交替生长2‑5次。本发明提供一种多层沉积外延片及其生长方法，通过将掺Fe和掺C的AlGaN缓冲层进行交替生长，能够实现缓冲层的高阻性能，同时提高外延材料的晶体质量。
IPC分类:
