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公开(公告)号：CN118566687B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411047682.1
申请日：2024-08-01
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
摘要： 本发明属于二极管耐老化测试领域，涉及一种二极管耐老化测试方法，本发明通过二极管分组测试流程涵盖多环节以确保质量，首先，从生产批次中抽取样品，分组进行加速、高温存储、高低温循环及盐雾等老化测试，随后，采集各项测试数据，包括加速老化、高温存储、高低温循环及盐雾环境下的表现，数据分析阶段，通过计算性能稳定、热稳定性、热应力分布符合及腐蚀抵抗能力系数，全面评估二极管性能，最终，综合各系数分析耐老化符合指数，并以此为依据判断二极管耐老化程度是否达标，及时发出预警，该流程旨在提前识别潜在质量问题，有效的提升了二极管可靠性与耐久性评估的科学性和准确性。
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公开(公告)号：CN118427058B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410881730.0
申请日：2024-07-03
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
摘要： 本发明涉及新能源汽车芯片健康诊断技术领域，涉及到一种新能源汽车芯片健康诊断方法、设备及存储介质，本发明通过从性能层面、电气层面和热管理层面综合分析目标生产工厂当前生产批次对应的芯片综合健康情况，通过对比分析目标生产工厂当前生产批次的新能源汽车芯片是否存在健康问题，并进行反馈，提高了芯片综合健康分析的全面性，直观地展示了芯片的健康情况，可以帮助制造商了解芯片的优势和不足之处，进而帮助进行有针对性的优化和改进，通过及时发现和解决潜在问题，可以减少生产过程中的停机时间和返工率，提高生产效率，同时综合分析有助于降低因产品质量问题导致的退货、索赔等质量风险。
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公开(公告)号：CN117816869B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311804272.2
申请日：2023-12-26
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： B21F11/00 , B21F23/00 , H01L23/49 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及金属线材加工技术领域，本发明公开了一种GaN HEMT器件引脚整形装置，包括顶梁、射流切割机、工位运转组件、预包覆组件和高温分离组件，所述射流切割机固定设于顶梁下方，所述射流切割机下方固定设有水刀切割头，所述工位运转组件设于顶梁下方，所述预包覆组件设于顶梁下方，所述高温分离组件设于顶梁下方，所述预包覆组件包括托举架、裹浆盒、高温容器、输送泵机、软管、三通管、半导体制冷片和出入协助单元。本发明具体提供了使用射流切割机来代替金属刀具并且不存在刀具磨损问题的GaN HEMT器件引脚整形装置。
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公开(公告)号：CN118213392A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410349722.1
申请日：2024-03-26
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种具有不同场板下介质层的AlGaN/GaN多沟道阶梯场板的肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有AlGaN/GaN多沟道肖特基二极管正向特性和反向击穿电压互相矛盾的问题，增强场板对沟道的控制能力，上层场板采用介电常数较大的介质材料，进一步展宽下层材料的耗尽区宽度，以及抑制AlGaN/GaN横向二极管的电流崩塌问题，提高器件的功率优值。其实现步骤包括：1)在蓝宝石、Si或SiC衬底层上，生长若干AlGaN/GaN异质结层、SiO2介质层；2)在所述外延层结构上设置用于形成阴极接触的凹槽，并制备阴极；3)在所述外延层结构上设置用于制备阳极的阳极凹槽，并且形成阶梯状结构，增大2DEG的耗尽区域，缓解电场聚集效应；本发明的具有不同场板下介质层的AlGaN/GaN多沟道阶梯场板的肖特基二极管具有较低的开启电压，能够显著降低导通电阻，提高击穿电压，抑制电流崩塌效应，具有较大的电流驱动能力。
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公开(公告)号：CN116092936A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310074650.X
申请日：2023-02-07
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1、外延材料生长；2、垂直结构实现；3、漏电极制作；4、源电极制作；5、欧姆金属退火；6、介质层沉积；7、栅电极制作；8、完成互联引线的制作。其能够解决目前常规GaN基高电子迁移率晶体管器件阈值电压小于0且耐压能力差的问题。
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公开(公告)号：CN115789535A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211426651.8
申请日：2022-11-14
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
发明人： 白俊春
IPC分类号： F21K9/20 , F21K9/235 , F21K9/238 , F21V19/00 , F21V21/00 , F21V23/00 , F21V23/06 , F21Y115/10
摘要： 本发明涉及发光二极管技术领域，且公开了一种基于蓝宝石基片的发光二极管，包括LED灯，所述LED灯底部的外侧设置有限位块，限位块内部开设有尺寸与LED灯相适配的凹槽，限位块中间位置的外侧开设有尺寸与从动件相适配的环形槽，限位块底部尺寸与定位块内部开设的槽口相适配；该基于蓝宝石基片的发光二极管，通过工作人员将连接件与螺口卡接，继而旋转连接件，连接件与螺口固定连接，此时将引脚一端插入到呈中心对称的楔块中心位置，此时旋转旋钮，旋钮会带动限定件运动，楔块会在限定件上开设的六边形凹槽与定位盘上开设的通孔的共同作用下运动，楔块会向着引脚的方向运动，进而将引脚的位置固定，从达到便捷固定引脚位置的目的。
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公开(公告)号：CN115188817A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210787040.X
申请日：2022-07-06
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种超结高击穿GaNHEMT器件，包括衬底层以及自下而上依次设置在衬底层上的GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上表面生长有再生长P‑GaN层，且再生长P‑GaN层的上表面生长有栅极，所述AlGaN势垒层的上表面设置有源极和漏极，且源极和漏极分别位于栅极的两侧，所述再生长P‑GaN层靠近漏极的一侧边缘处生长有UID GaN层。克服了现有技术的不足，通过生长的UID GaN层引入2DHG，与沟道层的2DEG相互作用，分散栅极靠近漏极一侧的边缘电场，避免因为局部高电场造成器件击穿损坏，从而使得器件的耐压特性得到改善，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118645454A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411103143.5
申请日：2024-08-13
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
摘要： 本发明属于二极管晶圆切割处理控制领域，具体公开提供的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，包括：清洗条件设置、清洁液类型选择及清洗质量判定，清洗条件模块通过分析晶圆图像污染程度，结合晶圆材质、尺寸等，智能设定清洗时间、温度和压力，清洁液类型模块则识别清洗后晶圆表面污染物类型与特征，评估污染系数，以推荐合适的清洁液并评估其纯度，最终，清洗质量判定模块再次检测晶圆表面，分析污染程度指数，确保清洗质量达标，一旦发现不合格即触发预警，此系统通过精准控制清洗参数与清洁液选择，有效提升晶圆清洗质量与效率，实现了晶圆清洗过程的精准控制与高效管理。
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公开(公告)号：CN118607446A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411073996.9
申请日：2024-08-07
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G06T7/00 , G06T7/62 , G06T7/90 , G01R31/28 , G01R31/12 , G01R31/00 , G01N21/956 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及集成电路测试领域，具体而言，涉及一种新能源汽车集成电路生产模拟测试系统，包括速度性能测试模块、性能测试模块、静电放电测试模块、电磁兼容性测试模块、封装测试模块、综合分析模块、管理数据库，本系统通过速度性能测试分析得到集成电路的速度性能评价系数，通过性能测试得到集成电路的可靠性评价系数，通过静电放电测试得到集成电路的静电抵抗力评价系数，通过电磁兼容性测试分析得到集成电路电磁兼容性评价系数，通过封装测试得到集成电路外观评价系数，进而综合分析得到集成电路的综合评价指数，并对其进行反馈，帮助提高了集成电路的性能和可靠性，确保其在各种应用场景下的稳定工作。
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