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公开(公告)号：CN118645454A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411103143.5
申请日：2024-08-13
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
摘要： 本发明属于二极管晶圆切割处理控制领域，具体公开提供的一种二极管晶圆切割后智能清洗监测控制系统，包括：清洗条件设置、清洁液类型选择及清洗质量判定，清洗条件模块通过分析晶圆图像污染程度，结合晶圆材质、尺寸等，智能设定清洗时间、温度和压力，清洁液类型模块则识别清洗后晶圆表面污染物类型与特征，评估污染系数，以推荐合适的清洁液并评估其纯度，最终，清洗质量判定模块再次检测晶圆表面，分析污染程度指数，确保清洗质量达标，一旦发现不合格即触发预警，此系统通过精准控制清洗参数与清洁液选择，有效提升晶圆清洗质量与效率，实现了晶圆清洗过程的精准控制与高效管理。
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公开(公告)号：CN118607446A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411073996.9
申请日：2024-08-07
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： G06F30/367 , G06T7/00 , G06T7/62 , G06T7/90 , G01R31/28 , G01R31/12 , G01R31/00 , G01N21/956 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及集成电路测试领域，具体而言，涉及一种新能源汽车集成电路生产模拟测试系统，包括速度性能测试模块、性能测试模块、静电放电测试模块、电磁兼容性测试模块、封装测试模块、综合分析模块、管理数据库，本系统通过速度性能测试分析得到集成电路的速度性能评价系数，通过性能测试得到集成电路的可靠性评价系数，通过静电放电测试得到集成电路的静电抵抗力评价系数，通过电磁兼容性测试分析得到集成电路电磁兼容性评价系数，通过封装测试得到集成电路外观评价系数，进而综合分析得到集成电路的综合评价指数，并对其进行反馈，帮助提高了集成电路的性能和可靠性，确保其在各种应用场景下的稳定工作。
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公开(公告)号：CN118552477A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410459929.4
申请日：2024-04-17
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06V10/44 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0464
摘要： 本申请涉及智能控制技术领域，且更为具体地公开了一种半导体芯片产品自动化质量检测系统及方法，基于相机采集的半导体芯片表面图像，通过提取加权特征图、编码得到加权特征向量，并通过分类器进行分析，最终得出半导体芯片产品是否合格的结果，实现半导体芯片的自动化质量检测系统及方法。
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公开(公告)号：CN116632060A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310451195.0
申请日：2023-04-25
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20
摘要： 本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种GaN基HEMT器件外延结构及生长方法，包括硅衬底以及依次从衬底表面硅衬底表面生长的氮化铝层、氮化镓铝缓冲层、氮化镓外延层、氮化镓沟道层、氮化镓铝势垒层以及GaN帽层；所述氮化镓铝缓冲层包括：氮化镓铝渐变层：Al组分从1渐变至0.45‑0.65；氮化镓铝稳定层：Al组分保持固定值生长，Al组分介于0.45‑0.65；氮化镓铝超晶格层：AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN，x介于0.45‑0.65，y介于0.25‑0.45；AlzGa1‑zN渐变层：Al组分从0.25‑0.45渐变至0.02‑0.20。克服了现有技术的不足，通过优化生长氮化镓铝缓冲层的外延生长工艺，可以有效改变面内的压缩应变值，降低位错密度，提高晶体质量，同时，又避免了熔刻现象，改善表面形态，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN116314267A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310275828.7
申请日：2023-03-21
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/20
摘要： 本发明涉及一种具有P型终端的高压多沟道肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、阴极制作；三、P型氧化物岛状终端制作；四、阳极制作。其可以有效地降低二极管的反向漏电，并可以降低峰值电场、提高击穿电压；同时，其能够保证二极管的正向大电流。
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公开(公告)号：CN115911123A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211563452.1
申请日：2022-12-07
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
发明人： 白俊春
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/32 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及芯片制造领域，且公开了一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构，所述外延结构包括：Si衬底层、成核层、底缓冲层、粗磨钝化层、中缓冲层、细磨开槽层、顶缓冲层、低温AIN插入层、ALGaNg势垒功能层和GaN帽层；其中，所述底缓冲层的厚度为30‑40μm，所述粗磨钝化层位于底缓冲层的表面，所述粗磨钝化层的顶部设置有中缓冲层，通过生长三重缓冲层以开设粗磨钝化层和细磨开槽层的方式进行衔接，不断消除Si衬底层在原始阶段所表现出来的划痕等瑕疵，使得在生长阶段，Si衬底层的表面瑕疵不会被延伸复制，从而避免对器件产生负面影响，防止后续所部署的二极管的反向漏电流增大，降低器件的能耗，改善器件的运行环境。
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公开(公告)号：CN118596526A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411080817.4
申请日：2024-08-08
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
IPC分类号： B29C48/92
摘要： 本发明属于环氧模塑挤出成型控制技术领域，具体公开提供的一种环氧模塑挤出成型控制系统，该系统包括加工参数监测模块、外部环境监测模块、挤出速度判断模块、挤出速度确认模块、加工信息库和挤出速度控制终端。本发明通过集成实时监测、智能判断、精确控制和自动化调节等功能，显著提升了挤出过程的效率和产品质量，能够确保在不同环境条件下都能保证生产过程的稳定性，减少不必要的停机时间和废品率。同时通过对监测加热温度、挤出压力、挤出速度以及外部环境温湿度等多种参数进行挤出速度判断和确认，实现了挤出速度的关联性分析，提高了挤出速度控制的精准性、有效性和及时性，进一步保障了挤出速度的控制效果。
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公开(公告)号：CN118566687A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411047682.1
申请日：2024-08-01
申请人： 江苏芯港半导体有限公司
摘要： 本发明属于二极管耐老化测试领域，涉及一种二极管耐老化测试方法，本发明通过二极管分组测试流程涵盖多环节以确保质量，首先，从生产批次中抽取样品，分组进行加速、高温存储、高低温循环及盐雾等老化测试，随后，采集各项测试数据，包括加速老化、高温存储、高低温循环及盐雾环境下的表现，数据分析阶段，通过计算性能稳定、热稳定性、热应力分布符合及腐蚀抵抗能力系数，全面评估二极管性能，最终，综合各系数分析耐老化符合指数，并以此为依据判断二极管耐老化程度是否达标，及时发出预警，该流程旨在提前识别潜在质量问题，有效的提升了二极管可靠性与耐久性评估的科学性和准确性。
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