本申请提供一种光敏元件及其制造方法及光敏探测器，本申请的光敏元件采用本征硅衬底作为本征层，用作光吸收层。上述本征硅衬底为减薄后的衬底，减薄后的衬底厚度介于50μm～100μm。该厚度有效减少了进入本征硅衬底的光子的传输距离，能够有效提高光子的响应速度。另外，衬底的背面侧形成反射结构，该反射结构能够对自衬底正面一侧入射但并未被本征硅衬底吸收的光子进行反射，使其在此进入本征层，由本征层吸收，由此提高了本征层对光子的吸收效率，被吸收的光子转化为光电流，由此保证光敏元件的光电流。