本申请公开了一种芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括：获取芯片的平面版图，并获取芯片流片的层级信息和光罩信息；基于层级信息和光罩信息，确定平面版图中芯片各层对应的层级几何参数；基于层级信息和光罩信息，进行逻辑运算，得到芯片的轻掺杂漏结构的层级几何参数；基于平面版图、芯片各层对应的层级几何参数以及轻掺杂漏结构的层级几何参数，进行三维建模，得到芯片的三维结构模型，三维结构模型包括轻掺杂漏结构对应的模块。该方法可以构建出包括LDD区域的三维结构模型，完整、准确地展示芯片的几何结构，保证模型中器件电学性能及可靠性的准确性，有助于提升芯片仿真精度。