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开关元件
摘要:
开关元件具有源极电极(48)和在设置于半导体基板(12)的多个沟槽(20)内配置的栅极电极(42)。在将各沟槽的长度方向设为第一方向且第二方向与所述第一方向交叉时,各沟槽以满足如下的条件的方式一边向第二方向位移一边沿着第一方向延伸,所述的条件是:由相邻的沟槽夹持的半导体区域即各沟槽间区域(30)具有多个窄幅部(31)和与窄幅部相比在第二方向上的宽度更宽的多个宽幅部(32);以及在半导体基板的上表面上窄幅部与宽幅部沿着第一方向交替地配置且窄幅部与宽幅部隔着沟槽沿着第二方向交替地配置。源极区域(50)跨窄幅部和宽幅部地分布,在宽幅部内与源极电极相接。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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