- 专利标题: 一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法
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申请号: CN202410280491.3申请日: 2024-03-12
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公开(公告)号: CN117894881A公开(公告)日: 2024-04-16
- 发明人: 李伟民 , 唐玮 , 俞深 , 李松 , 苑欣业 , 杨春雷
- 申请人: 深圳先进技术研究院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
- 专利权人: 深圳先进技术研究院
- 当前专利权人: 深圳先进技术研究院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
- 代理机构: 北京市诚辉律师事务所
- 代理商 范盈
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/032 ; H01L31/0392 ; H01L31/0749 ; C23C14/06 ; C23C14/16 ; C23C14/18 ; C23C14/35
摘要:
一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法,属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明通过电离氩气产生高能Ar等离子体,轰击CIGS靶材,在预先制备好的衬底上制备CIGS薄膜,通过调节CIGS靶材中铜的含量,实现对CIGS中空穴浓度的可控调节。本发明采用磁控溅射法制备的CIGS薄膜成分均匀、表面光滑,且由于所使用靶材中铜的含量不同,吸收层整体空穴浓度得以调节,进一步提高了CIGS电池的开路电压和填充因子,有效地提高了电池的性能参数,更大程度的提升电池的光电转化效率。
公开/授权文献
- CN117894881B 一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法 公开/授权日:2024-07-12
IPC分类: