Invention Publication
- Patent Title: 半导体元件封装的制造方法和半导体元件封装
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Application No.: CN202280058779.5Application Date: 2022-08-31
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Publication No.: CN117897806APublication Date: 2024-04-16
- Inventor: 石井恭子 , 田中荣作 , 井上健郎 , 菅谷阳辅 , 绀谷友广
- Applicant: 日东电工株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇; 孙德崇
- Priority: 2021-141967 20210831 JP
- International Application: PCT/JP2022/032886 2022.08.31
- International Announcement: WO2023/033090 JA 2023.03.09
- Date entered country: 2024-02-28
- Main IPC: H01L23/02
- IPC: H01L23/02 ; H01L23/10 ; H01L27/146 ; H01L31/02 ; H01S5/02315 ; H01S5/022 ; H01S5/023

Abstract:
本发明提供一种制造方法,该制造方法是使用配置有多个半导体元件的基板片而制造多个半导体元件封装的方法,适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤。所提供的制造方法包括如下工序:借助具有多个贯通孔并且具有多孔体片和在多孔体片的两面分别预先形成的粘合层的双面粘合片,将覆盖片与配置有多个半导体元件的基板片以半导体元件位于上述贯通孔内并且由覆盖片覆盖的方式接合,从而获得层叠体;以及分割层叠体,以从覆盖片、基板片以及多孔体片分别获得多个罩、多个基板以及多个多孔体。
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