公开(公告)号：CN117897459A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280058776.1

申请日：2022-08-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 石井恭子 ,  菅谷阳辅 ,  井上健郎 ,  绀谷友广 ,  八锹晋平 ,  今村骏二

IPC: C09J7/26 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  C09J133/04 ,  C09J183/04 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供一种适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤的罩构件。所提供的罩构件具备：覆盖片，其具有在配置于配置面的状态下覆盖对象物的形状；以及粘合层，其与覆盖片接合，并且将罩构件固定于配置面。粘合层包括双面粘合片。双面粘合片具有依次层叠第1粘合剂层、基材以及第2粘合剂层而成的构造。基材具有多孔构造。基材的气孔率是30％以上，并且，(1)在基材的气孔率是30％以上且50％以下时，基材的平均孔径是10μm以上，(2)在基材的气孔率超过50％时，上述平均孔径是0.05μm以上。

公开(公告)号：CN110476003B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201880023135.6

申请日：2018-03-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 渡边圣彦 ,  岛崎雄太 ,  渡边太一 ,  山本祐辅 ,  绀谷友广

IPC: F16L59/08 ,  C09J7/40 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明提供不仅保护薄膜的表面上的耐擦伤性优异、而且保护薄膜剥离后的最外层的耐擦伤性也优异的隔热绝热基板。本发明的隔热绝热基板包含透明基板层和红外线反射层，在该红外线反射层的与该透明基板层相反一侧具备保护顶涂层，在该保护顶涂层的与该红外线反射层相反一侧的表面具备保护薄膜，在温度23±1℃、湿度50±5％RH的环境下的该保护薄膜相对于该保护顶涂层的180度剥离力为0.01N/50mm～0.40N/50mm，在温度80±1℃的环境下保管10天后的该保护薄膜相对于该保护顶涂层的180度剥离力为0.01N/50mm～1.0N/50mm。

公开(公告)号：CN105074431B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201480017509.5

申请日：2014-02-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 尾崎真由 ,  山形一斗 ,  永冈直树 ,  绀谷友广

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/03

CPC classification number: G01N21/553 ,  G01N21/7703 ,  G01N2021/7776 ,  G01N2201/0638 ,  G01N2201/08

Abstract: 本发明提供具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。本发明的SPR传感器元件包括：下包层；芯层，其设置成使所述芯层的至少一部分与该下包层相邻；以及金属层，其覆盖该芯层，其中，该芯层具有折射率均匀层和折射率梯度层，该折射率梯度层配置在该折射率均匀层与该金属层之间，该折射率梯度层的折射率为该折射率均匀层的折射率以上，在该折射率梯度层的厚度方向上，该折射率梯度层的折射率自该折射率梯度层的靠该折射率均匀层侧的表面朝向该金属层侧连续地增大。

公开(公告)号：CN104718475A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380053211.5

申请日：2013-08-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 绀谷友广

IPC: G02B6/13

CPC classification number: G02B6/10 ,  G02B6/1221 ,  G02B6/138

Abstract: 本发明提供实现较广的材料选择性、改进的加工再现性和产量、及低成本的聚合物光波导的制造方法。聚合物光波导的制造方法包括：将芯形成用固化性组合物配置在具有各对应于芯形状的凹部的模具的表面上；一边将转印膜贴合在模具的表面上，一边沿预定方向对转印膜加压，用芯形成用固化性组合物填充凹部的同时，除去多余的芯形成用固化性组合物；固化芯形成用固化性组合物以形成芯；从模具上剥离转印膜以将芯转印至转印膜上；和形成第一包层以覆盖转印膜上的芯。

公开(公告)号：CN101952333B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880127248.7

申请日：2008-12-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 绀谷友广

IPC: C08F290/00 ,  B01J20/26 ,  C08F8/00 ,  C08F26/02 ,  C08F299/00 ,  A61K47/32

CPC classification number: C08F290/00 ,  A61K47/32 ,  B01J20/26 ,  B01J20/267 ,  C08F8/30 ,  C08F290/065 ,  C08F299/00 ,  C08F2810/20 ,  C08F126/02

Abstract: 公开一种能够选择性吸附酸性水溶性靶物质的聚合物；具有针对酸性水溶性靶物质的特异性识别位点的聚合物；用于生产各聚合物的方法；以及酸性水溶性靶物质的吸附剂。具体公开了能够选择性吸附至少一种酸性水溶性靶物质的聚合物，并且所述聚合物的特征在于具有通过两步反应生产的交联结构，所述两步反应包括进行具有氨基和/或亚氨基的聚合物与不饱和羰基交联剂的迈克尔加成反应以及进行所得产物的自由基聚合。

公开(公告)号：CN1827367A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610007843.X

申请日：2006-02-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 吉田良德 ,  赤泽光治 ,  绀谷友广 ,  矢野浩平

IPC: B32B27/40 ,  B32B27/30 ,  B32B27/00 ,  B32B37/02 ,  B32B38/00 ,  C09J7/02 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供了多层片材及其制造方法和使用这种多层片材的粘合片材。所述的粘合片材是加工半导体晶片等时使用的粘合片材，加工中不污染、不破损半导体晶片等以及由于粘合片材的残存应力导致的制品翘曲小；为了提供用于粘合片材使用的积层片材，多层片材含有聚氨酯聚合物和乙烯基类聚合物为有效成分的复合薄膜和与该复合薄膜不同材料制成的第一薄膜，聚氨酯聚合物由聚烯烃类二元醇和聚异氰酸酯合成。这种多层片材的至少一个面上有粘合剂层，由这种多层片材得到粘合片材。

公开(公告)号：CN117897806A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280058779.5

申请日：2022-08-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 石井恭子 ,  田中荣作 ,  井上健郎 ,  菅谷阳辅 ,  绀谷友广

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/022 ,  H01S5/023

Abstract: 本发明提供一种制造方法，该制造方法是使用配置有多个半导体元件的基板片而制造多个半导体元件封装的方法，适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤。所提供的制造方法包括如下工序：借助具有多个贯通孔并且具有多孔体片和在多孔体片的两面分别预先形成的粘合层的双面粘合片，将覆盖片与配置有多个半导体元件的基板片以半导体元件位于上述贯通孔内并且由覆盖片覆盖的方式接合，从而获得层叠体；以及分割层叠体，以从覆盖片、基板片以及多孔体片分别获得多个罩、多个基板以及多个多孔体。

公开(公告)号：CN114174068A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080050070.1

申请日：2020-07-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 阿部悠一 ,  绀谷友广 ,  井上健郎 ,  平井文太

IPC: B32B33/00 ,  B32B27/00 ,  B32B3/04 ,  B32B7/12 ,  B32B27/30 ,  B65D43/00 ,  C09J7/20 ,  C09J7/40 ,  H04R19/00 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明的保护盖构件为配置于包括具有开口的面的对象物的该面来防止异物侵入上述开口的构件，其中，该构件由层叠体构成，该层叠体包括：保护膜，该保护膜具有在保护盖构件配置于上述面时覆盖该开口的形状；基材薄膜，该基材薄膜接合于保护膜；以及第1粘合层，该第1粘合层将保护盖构件固定于上述面，保护盖构件的外周面在层叠体的层叠方向具有台阶，在保护盖构件配置于上述面时，保护盖构件的位于比台阶远离上述面的那一侧的第1部分在台阶处，与保护盖构件的位于比台阶靠近上述面的那一侧的第2部分相比，向外侧突出，保护膜和基材薄膜位于第1部分。采用本发明的保护盖构件，能够在抑制对象物的损伤的同时进行去除。

公开(公告)号：CN104685345B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201380049550.6

申请日：2013-08-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西尾创 ,  绀谷友广

IPC: G01N21/27 ,  G01N21/03

CPC classification number: G01N21/553 ,  G01N21/03 ,  G01N2021/5903 ,  G01N2201/088 ,  G02B1/04 ,  G02B6/10 ,  G02B6/1226 ,  G02B6/138 ,  G02B2006/12095 ,  C08L27/12

Abstract: 本发明提供一种具有极其优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件设置有：下包层；芯层，该芯层的至少一部分邻接下包层；以及金属层，该金属层覆盖芯层。芯层由均一层和配置在均一层与下包层之间的梯度层构成。均一层的折射率NCO满足1.34≤NCO

公开(公告)号：CN104160263A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380011795.X

申请日：2013-02-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 绀谷友广

IPC: G01N21/27 ,  G01N21/03

CPC classification number: G01N21/0303 ,  G01N21/553 ,  G01N2201/08

Abstract: 本发明提供具有非常优异检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。本发明的SPR传感器元件设置有：检测单元和与检测单元邻接的试样载置部，其中：检测单元具有下包层、形成为使得至少一部分与下包层邻接的芯层、覆盖芯层的金属层和设置在芯层与金属层之间的保护层；和保护层由具有超过1.0eV且小于7.0eV带隙(Eg)的材料形成。