发明公开
- 专利标题： 半导体装置和制造半导体装置的方法
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申请号： CN202310753960.4申请日： 2023-06-25
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公开(公告)号： CN118019334A公开(公告)日： 2024-05-10
- 发明人: 金智成 , 康倫豪 , 申完燮 , 田锡旼
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 党晓林
- 优先权： 10-2022-0149186 20221110 KR
- 主分类号： H10B41/20
- IPC分类号： H10B41/20 ; H10B41/40 ; H10B43/20 ; H10B43/40 ; H01L23/528 ; H01L21/768
摘要：
本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其中导电层和绝缘层交替地层叠；接触插塞，其穿过栅极结构在绝缘层的层叠方向上延伸；第一间隔层，其各自位于导电层和接触插塞之间；以及第二间隔层，其各自位于接触插塞和第一间隔层之间。