发明公开
CN118116913A 半导体结构及其制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体结构及其制造方法
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申请号： CN202410438003.7申请日： 2024-04-11
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公开(公告)号： CN118116913A公开(公告)日： 2024-05-31
- 发明人: 刘越 , 刘利晨 , 夏忠平
- 申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 专利权人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 霍文娟
- 主分类号： H01L23/544
- IPC分类号： H01L23/544 ; H01L29/423 ; H01L21/28
摘要：
本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一衬底、一沟槽位于该衬底中、一对准标记位于该沟槽中、以及栅极图案位于该对准标记上，该栅极图案包含一金属部，其中该金属层的顶面低于该沟槽的顶面。
IPC分类:
