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公开(公告)号：CN116125752A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310009895.4
申请日：2023-01-04
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
发明人： 刘利晨
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本申请公开一种光刻胶形成设备及方法，其中光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。本申请得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。
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公开(公告)号：CN116525412A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310517309.7
申请日：2023-05-09
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了半导体器件的制作方法，包括以下步骤。提供衬底，衬底上设置多个第一对准标记。在衬底上形成堆叠层结构。在堆叠层结构内形成沟槽，沟槽具有深度且暴露第一对准标记。在沟槽内形成填充层，至少部分减少沟槽的深度。在填充层上形成掩模结构，掩模结构具有平坦顶面。通过掩模结构，形成多个第二对准标记。由此，本发明通过填充层达到改善对准区内因沟槽过深所产生的斜坡及台阶问题。
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公开(公告)号：CN114724932A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210344473.8
申请日：2022-03-31
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16
摘要： 本申请提供一种半导体器件的制备方法，该方法包括：提供半导体晶圆；在所述晶圆表面上方形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，以在所述晶圆表面形成掩膜图案；通过所述掩膜图案，对所述晶圆进行图案化处理；其中，在所述晶圆表面上方形成光刻胶层的步骤之前或之后，对所述晶圆表面进行中和处理，以使所述晶圆表面呈中性。通过在光刻工艺过程中对晶圆表面进行中和处理的方式，保证了光刻胶层底部或顶部的稳定性，大大降低了晶圆的表面的酸碱性对光刻胶层的形貌的影响，提升了以该光刻胶层为掩膜形成的器件图案的精确度。
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公开(公告)号：CN116387283A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310245791.3
申请日：2023-03-15
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，包括选择性地移除与第一互连结构同时形成在第一介质层中的第一对准结构，显露出定义在第一介质层中的第一对准沟槽。接着，于第一介质层上形成一导电层，其中导电层填入第一对准沟槽的部分形成第二对准结构，然后用第二对准结构作为对准标记进行微影暨蚀刻工艺，将导电层图案化成第二互连结构。本发明的方法可在第一互连结构和第二互连结构之间获得较佳的对准精确度。
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公开(公告)号：CN112908917A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110125280.9
申请日：2021-01-29
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其加工方法。半导体结构的对准标记包括不同方向设置的第一对准模组和第二对准模组，以利于在光刻工艺中实现不同方位的位置对准，并且第一对准模组和第二对准模组还更为精细的划分为多个第一方向标记图案和多个第二方向标记图案，从而能够对对准标记进行更为精细的读取识别，提高光刻工艺的对准精度。
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公开(公告)号：CN118507488A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410635377.8
申请日：2024-05-21
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底和多个半导体结构，多个半导体结构位于衬底上，各半导体结构包括源极结构、通道层结构、栅极结构和漏极结构，其中源极结构位于衬底上，通道层结构位于源极结构上，栅极结构位于通道层结构的侧壁上，漏极结构设置在通道层结构和栅极结构上；多个半导体结构彼此间隔排布，至少相邻两个半导体结构之间具有至少一个空隙。本发明能够增加相邻两个半导体结构之间的隔离性能，以提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118116913A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410438003.7
申请日：2024-04-11
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L29/423 , H01L21/28
摘要： 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一衬底、一沟槽位于该衬底中、一对准标记位于该沟槽中、以及栅极图案位于该对准标记上，该栅极图案包含一金属部，其中该金属层的顶面低于该沟槽的顶面。
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公开(公告)号：CN112908917B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110125280.9
申请日：2021-01-29
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其加工方法。半导体结构的对准标记包括不同方向设置的第一对准模组和第二对准模组，以利于在光刻工艺中实现不同方位的位置对准，并且第一对准模组和第二对准模组还更为精细的划分为多个第一方向标记图案和多个第二方向标记图案，从而能够对对准标记进行更为精细的读取识别，提高光刻工艺的对准精度。
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公开(公告)号：CN116819901A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310811587.3
申请日：2023-07-04
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种掩模台、光刻系统及光刻方法。其中，所述掩模台设置有切换单元，且所述切换单元装载多块掩模板，以在不同的光刻需求下，通过移动所述掩模板来实现对掩模板种类的直接切换，无需将掩模板卸载下来，再另行安装，不仅降低了更换掩模板的操作难度，还大大缩短了更换时间，有利于提高光刻效率。以及，所述光刻方法利用可移动切换掩模板的掩模台来提高光刻效率。此外，在处理无效芯片区域时，选用透明掩模板作为光罩，不仅可以明确界定曝光区域，还可以令无效芯片区域上的膜层均被曝光，以在后续清洗的过程中能避免出现膜层坍塌，以及存在污染颗粒影响其他有效芯片，提高了曝光处理的效果，有利于提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN213958951U
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202120268634.0
申请日：2021-01-29
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/544
摘要： 本实用新型提供了一种半导体结构。半导体结构的对准标记包括不同方向设置的第一对准模组和第二对准模组，以利于在光刻工艺中实现不同方位的位置对准，并且第一对准模组和第二对准模组还更为精细的划分为多个第一方向标记图案和多个第二方向标记图案，从而能够对对准标记进行更为精细的读取识别，提高光刻工艺的对准精度。
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