提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。