公开(公告)号：CN111799335A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010730732.1

申请日：2014-12-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 笹川慎也 ,  仓田求 ,  花冈一哉 ,  小林由幸 ,  松林大介

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

摘要： 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。

公开(公告)号：CN110998863A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050205.7

申请日：2018-07-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 种村和幸 ,  镰田悦子 ,  泽井宽美 ,  松林大介

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

摘要： 提供一种阈值电压大的半导体装置。该半导体装置包括：配置在衬底上的第一导电体；配置在第一导电体上的第一绝缘体；以接触于第一绝缘体的顶面的方式配置的第一氧化物；以接触于第一氧化物的顶面的方式配置的第二绝缘体；配置在第二绝缘体上的第二氧化物；配置在第二氧化物上的第三绝缘体；以及配置在第三绝缘体上的第二导电体，其中，混合层形成在第一绝缘体与第一氧化物之间，混合层包含第一绝缘体所含的原子中的至少一个和第一氧化物所含的原子中的至少一个，并且，混合层具有负的固定电荷。

公开(公告)号：CN108649066A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810788970.0

申请日：2013-10-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

摘要： 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN103779423B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

摘要： 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN118248744A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410407131.5

申请日：2018-07-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  浅见良信

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L23/538 ,  H01L29/417

摘要： 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。

公开(公告)号：CN110998809B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201880050765.2

申请日：2018-07-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

摘要： 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN108493253B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201810257440.3

申请日：2013-11-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 松林大介 ,  篠原聪始 ,  关根航

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/49

摘要： 提供一种半导体装置，其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括：氧化物半导体叠层，其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在氧化物半导体叠层、源电极层及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上的栅电极层。第一氧化物半导体层包括第一区域。栅极绝缘膜包括第二区域。在TS1表示第一区域的厚度且TG1表示第二区域的厚度时，TS1≥TG1。

公开(公告)号：CN104733512A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410800319.2

申请日：2014-12-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 笹川慎也 ,  仓田求 ,  花冈一哉 ,  小林由幸 ,  松林大介

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12

摘要： 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。

公开(公告)号：CN102693755A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210082547.1

申请日：2012-03-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 松林大介

IPC分类号： G11C16/06 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C8/10 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： 提供了存储器设备和电子设备。对单独的存储器单元执行选择操作。设备包括第一存储器单元和与第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元，它们各自包括具有第一栅极和第二栅极的场效应晶体管。场效应晶体管通过导通或截止来至少控制存储器单元中的数据写入和数据保持。该设备还包括：行选择线，电连接至包括在第一存储器单元和第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极；第一列选择线，电连接至包括在第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极；以及第二列选择线，电连接至包括在第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。

公开(公告)号：CN110998808B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201880050764.8

申请日：2018-07-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  浅见良信

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H10B41/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

摘要： 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。