本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。