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公开(公告)号：CN118280888B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410678853.4
申请日：2024-05-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。
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公开(公告)号：CN118280888A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410678853.4
申请日：2024-05-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。
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公开(公告)号：CN116752136A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310530488.8
申请日：2023-05-10
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备，包括以下步骤：(1)采用酸性除油剂对晶圆的表面进行清洗；(2)采用过硫酸钠与硫酸对晶圆的表面进行微蚀处理；(3)利用酸性液体对晶圆的表面进行酸洗；(4)浸锌，使晶圆的表面涂覆有锌金属层；(5)化学镀镍，于所述晶圆的铜层上形成镍层；(6)化学镀钯，于晶圆上的镍层上化学沉淀钯层；(7)化学浸金，于晶圆的铜层上形成镍钯金镀层。(8)超声波冲洗，下料；本发明提供的晶圆化镀工艺中，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，产品质量水平稳定，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118714760A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411190424.9
申请日：2024-08-28
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
摘要： 本发明涉及载板通孔填埋镀铜的技术领域，公开了一种用于DVCP和AJBT载板填孔的全自动镀铜生产线，包括生产线，在对印刷电路板进行镀铜工作时，对其中一个龙门架进行载板的装配，并使其导送至连续电镀组件的正上方，此时通过驱动电机驱动切换轮进行转动，利用若干注液头为切换轮上的若干工艺槽注入加工的液体后，通过升降调节电机配合驱动电机切换不同工艺槽的同时，推动工艺槽上升，使工艺槽内的液体主动与印刷线路板发生接触，从而依次进行除油水洗、电解脱脂、酸洗、活化、预镀镍、硫酸铜镀铜的操作，在此过程中，印刷线路板自身不发生任何活动，避免出现运输过程中发生的定位错误、稳定差或碰撞损坏等问题，提高了镀铜效率。
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公开(公告)号：CN118932460A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411429511.5
申请日：2024-10-14
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D17/00 , C25D7/12 , C25D5/10 , C25D5/18 , C04B41/90 , H01L21/48 , H01L21/677 , B08B3/12 , B08B3/02 , B08B3/10
摘要： 本发明公开了一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线及生产工艺，包括两条并行设置的生产线和一个分解通道，沿长度方向依次包括多个工位，具体工位包括上下料工位，水洗工位，硝挂工位，填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位，微蚀工位，酸浸工位，交换工位，喷淋水洗工位和热水洗工位，除油工位；其中，填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位通过高频电源控制温度，而微蚀工位和酸浸工位则由自动化系统监控调节温度和压力，确保表面处理的均质化；喷淋水洗工位和热水洗工位采用自动化喷淋系统进行多次清洗，优化材料表面的清洁度和活性；本发明的生产线设计实现了工艺的高效运行和参数的精确控制，大大提高了生产效率和产品质量，是一种创新的电镀生产线方案。
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公开(公告)号：CN118207613A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410529405.8
申请日：2024-04-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明涉及晶圆加工的技术领域，公开了一种半导体晶圆夹具，包括基盘和夹片，所述基盘的顶部安装有往复旋转设置的转环，基盘的上方通过所述转环驱动有升降设置的换向盘，所述换向盘的内部设置有托环，所述夹片的底部设置有抵板，所述抵板配合所述托环用于夹持固定晶圆；本发明的电镀夹具能够对晶圆的表面进行分段电镀，减少电场效应的产生，使电镀层厚度一致，并且通过设置晶圆的旋转的换向盘配合补镀导电片的横向传动，对晶圆表面电镀不均处进行补镀操作，无需增加补镀用的工序设备，让补镀的工序发生在镀膜工序的过程中，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN116426992A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310530486.9
申请日：2023-05-10
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备，包括以下步骤：(1)清理陶瓷基板预处理；(2)镀金；(3)镀钯；(4)镀镍；(5)碱性化学镀镍；(6)酸性化学镀钯；(7)浸锌。(8)超声波碱洗，(9)腐蚀调整；本发明提供的晶圆化镀工艺中，镍镀层、钯镀层和金镀层按预设顺序依次进行，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性的同时，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，电镀层与铝材的结合力良好，从而不起泡、无脱落、不起皮；成本低、污染少。
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公开(公告)号：CN116397291A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310530483.5
申请日：2023-05-10
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆电镀工艺及自动电镀设备，包括以下步骤：(1)喷淋；(2)镀铜；(3)氮气吹干；(4)镀镍；(5)镀锡；(6)镀银；(7)镀金；(8)氮气吹干；(9)下料；本发明提供的晶圆电镀工艺中，铜镀层、镍镀层、银镀层和金镀层按预设顺序依次进行，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性的同时，保证每个晶圆电镀工艺的作业模式相近，产品质量水平稳定，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN220643322U
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202322214798.7
申请日：2023-08-16
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本实用新型旨在提供一种晶圆电镀挂具及电镀槽结构，其包括挂板、导电组件及固定组件，挂板上开设有电镀孔，导电组件包括金属挂片及若干导电触片，金属挂片设置于挂板的一侧面上，各导电触片均设置于挂板上，且各导电触片环绕分布在电镀孔的四周，并且各导电触片均与金属挂片电性连接，固定组件包括盖板、两个第一密封环、两个第二密封环及若干螺钉，两个第一密封环相对于电镀孔同心地设置于挂板上，以使各导电触片均位于两个第一密封环之间，两个第二密封环同心的设置于盖板上，各螺钉用于穿设于盖板并螺接于挂板上，以使两个第二密封环一一对应与两个第一密封环相对齐且共同压夹晶圆，从而使得晶圆与各导电触片相抵接。
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