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公开(公告)号：CN118280888B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410678853.4
申请日：2024-05-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。
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公开(公告)号：CN118280888A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410678853.4
申请日：2024-05-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。
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公开(公告)号：CN116752136A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310530488.8
申请日：2023-05-10
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备，包括以下步骤：(1)采用酸性除油剂对晶圆的表面进行清洗；(2)采用过硫酸钠与硫酸对晶圆的表面进行微蚀处理；(3)利用酸性液体对晶圆的表面进行酸洗；(4)浸锌，使晶圆的表面涂覆有锌金属层；(5)化学镀镍，于所述晶圆的铜层上形成镍层；(6)化学镀钯，于晶圆上的镍层上化学沉淀钯层；(7)化学浸金，于晶圆的铜层上形成镍钯金镀层。(8)超声波冲洗，下料；本发明提供的晶圆化镀工艺中，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，产品质量水平稳定，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118932460A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411429511.5
申请日：2024-10-14
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D17/00 , C25D7/12 , C25D5/10 , C25D5/18 , C04B41/90 , H01L21/48 , H01L21/677 , B08B3/12 , B08B3/02 , B08B3/10
摘要： 本发明公开了一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线及生产工艺，包括两条并行设置的生产线和一个分解通道，沿长度方向依次包括多个工位，具体工位包括上下料工位，水洗工位，硝挂工位，填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位，微蚀工位，酸浸工位，交换工位，喷淋水洗工位和热水洗工位，除油工位；其中，填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位通过高频电源控制温度，而微蚀工位和酸浸工位则由自动化系统监控调节温度和压力，确保表面处理的均质化；喷淋水洗工位和热水洗工位采用自动化喷淋系统进行多次清洗，优化材料表面的清洁度和活性；本发明的生产线设计实现了工艺的高效运行和参数的精确控制，大大提高了生产效率和产品质量，是一种创新的电镀生产线方案。
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公开(公告)号：CN118714760A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411190424.9
申请日：2024-08-28
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
摘要： 本发明涉及载板通孔填埋镀铜的技术领域，公开了一种用于DVCP和AJBT载板填孔的全自动镀铜生产线，包括生产线，在对印刷电路板进行镀铜工作时，对其中一个龙门架进行载板的装配，并使其导送至连续电镀组件的正上方，此时通过驱动电机驱动切换轮进行转动，利用若干注液头为切换轮上的若干工艺槽注入加工的液体后，通过升降调节电机配合驱动电机切换不同工艺槽的同时，推动工艺槽上升，使工艺槽内的液体主动与印刷线路板发生接触，从而依次进行除油水洗、电解脱脂、酸洗、活化、预镀镍、硫酸铜镀铜的操作，在此过程中，印刷线路板自身不发生任何活动，避免出现运输过程中发生的定位错误、稳定差或碰撞损坏等问题，提高了镀铜效率。
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公开(公告)号：CN118207613A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410529405.8
申请日：2024-04-29
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明涉及晶圆加工的技术领域，公开了一种半导体晶圆夹具，包括基盘和夹片，所述基盘的顶部安装有往复旋转设置的转环，基盘的上方通过所述转环驱动有升降设置的换向盘，所述换向盘的内部设置有托环，所述夹片的底部设置有抵板，所述抵板配合所述托环用于夹持固定晶圆；本发明的电镀夹具能够对晶圆的表面进行分段电镀，减少电场效应的产生，使电镀层厚度一致，并且通过设置晶圆的旋转的换向盘配合补镀导电片的横向传动，对晶圆表面电镀不均处进行补镀操作，无需增加补镀用的工序设备，让补镀的工序发生在镀膜工序的过程中，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN116426992A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310530486.9
申请日：2023-05-10
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备，包括以下步骤：(1)清理陶瓷基板预处理；(2)镀金；(3)镀钯；(4)镀镍；(5)碱性化学镀镍；(6)酸性化学镀钯；(7)浸锌。(8)超声波碱洗，(9)腐蚀调整；本发明提供的晶圆化镀工艺中，镍镀层、钯镀层和金镀层按预设顺序依次进行，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性的同时，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，电镀层与铝材的结合力良好，从而不起泡、无脱落、不起皮；成本低、污染少。
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公开(公告)号：CN116397291A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310530483.5
申请日：2023-05-10
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆电镀工艺及自动电镀设备，包括以下步骤：(1)喷淋；(2)镀铜；(3)氮气吹干；(4)镀镍；(5)镀锡；(6)镀银；(7)镀金；(8)氮气吹干；(9)下料；本发明提供的晶圆电镀工艺中，铜镀层、镍镀层、银镀层和金镀层按预设顺序依次进行，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性的同时，保证每个晶圆电镀工艺的作业模式相近，产品质量水平稳定，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN220318013U
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202321973820.X
申请日：2023-07-25
申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司
发明人： 吴攀
摘要： 本实用新型旨在提供一种半导体晶圆镀铜槽结构，其包括镀槽组件、摇摆组件及外加热组件，镀槽组件包括外槽体及内槽体，内槽体内开设有电镀腔，内槽体上挂设有阴极挂具及阳极板，阴极挂具与阳极板位于电镀腔内，摇摆组件包括摆杆、摆板及摇摆驱动件，摆杆转动设置于外槽体上，摆板设置于摆杆上，且摆板位于阴极挂具及阳极板之间，并且摆板位于电镀腔内，摇摆驱动件与摆杆连接，摇摆驱动件用于带动摆杆转动，以使摆杆带动摆板在电镀腔内摆动，外加热组件包括储液箱、加热网、两个通管及两个循环泵，加热网设置于储液箱的底部，两个通管均与储液箱连通，其中的一个通管通过其中的一个循环泵与外槽体连通，另一个通管通过另一个循环泵与内槽体连通。
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