发明公开
CN118352391A 半导体装置
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN202410034699.7申请日： 2024-01-10
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公开(公告)号： CN118352391A公开(公告)日： 2024-07-16
- 发明人: 登尾正人
- 申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社
- 申请人地址： 日本爱知县; ;
- 专利权人： 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- 当前专利权人： 株式会社电装,丰田自动车株式会社,未来瞻科技株式会社
- 当前专利权人地址： 日本爱知县; ;
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 吕文卓
- 优先权： 2023-003853 20230113 JP
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423
摘要：
半导体装置具有沟槽栅构造。第2杂质区域(17)的从第1抵接区域(171)的边界部(171a、171b)朝向另一个沟槽的部分为直线状部(173a、173b)，第2抵接区域(172)的从边界部(172a、172b)朝向一个沟槽的部分为直线状部(174a、174b)。一个沟槽和与第1抵接区域相连的两个直线状部之间的两个角度中的一个角度小于90°，另一个角度为90°以下。另一个沟槽和与第2抵接区域相连的两个直线状部之间的两个角度中的一个角度小于90°，另一个角度为90°以下。
IPC分类:
