发明公开
- 专利标题： 一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法
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申请号： CN202410614389.2申请日： 2024-05-17
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公开(公告)号： CN118407123A公开(公告)日： 2024-07-30
- 发明人: 李俊 , 李阳 , 蒋金秀 , 魏占涛 , 魏源 , 刘庆元 , 帅世荣 , 左林森 , 肖礼康 , 蓝江河 , 杨天颖
- 申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 申请人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 专利权人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 代理机构： 成都市熠图知识产权代理有限公司
- 代理商 杨兵
- 主分类号： C30B19/12
- IPC分类号： C30B19/12 ; C30B19/00 ; C30B29/16
摘要：
本发明公开了一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料领域，制备原料包括Y2O3、Fe2O3、PbO和B2O3，制备时的衬底装夹于夹具上，所述原料中，所述PbO与B2O3的摩尔比的范围为25～35；所述衬底为至少两个，相邻两个衬底的间距≥10mm；采用本发明的方法能够同时生长三片以上100μm石榴石型单晶膜，极大的提高了生产效率。
