以介电材料填充间隙的方法，其包含在沉积期间使用抑制剂等离子体。当抑制剂等离子体与特征中的材料相互作用时，与位于较接近特征的顶部或场中的材料相比，在特征的底部的材料受到更少的等离子体处理。在特征的顶部的沉积接着被选择性抑制，而在特征的较低部分中的沉积在具有较少抑制作用或不被抑制的情况下进行。因此，增进由下而上的填充，其可产生减轻接缝效应并防止空隙形成的倾斜轮廓。在一些实施方案中，在较高压强下使用抑制剂等离子体，以增加抑制率，从而提高产能。