公开(公告)号：CN107699869A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710673939.8

申请日：2017-08-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  亚伦·R·费利斯 ,  安德鲁·约翰·迈凯洛 ,  詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  乔恩·亨利

IPC分类号： C23C16/52

摘要： 本发明涉及通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应。公开了用于在多站沉积装置中沉积膜的方法和装置以及系统。所述方法可以包括：(a)向所述装置的第一站提供衬底，(b)将所述衬底的温度调节至第一温度，(c)当所述衬底在所述第一站中处于所述第一温度下时，将材料的第一部分沉积在所述衬底上，(d)将所述衬底传送到第二站，(e)将所述衬底的温度调节至第二温度，和(f)当所述衬底处于所述第二温度下时，将所述材料的第二部分沉积在所述衬底上，使得所述第一部分和所述第二部分表现出不同的材料属性值。所述装置和系统可以包括多站沉积装置以及具有用于执行(a)-(f)中的一个或多个的控制逻辑的控制器。

公开(公告)号：CN118435318A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280083546.0

申请日：2022-12-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  亚伦·R·费利斯 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455

摘要： 以介电材料填充间隙的方法，其包含在沉积期间使用抑制剂等离子体。当抑制剂等离子体与特征中的材料相互作用时，与位于较接近特征的顶部或场中的材料相比，在特征的底部的材料受到更少的等离子体处理。在特征的顶部的沉积接着被选择性抑制，而在特征的较低部分中的沉积在具有较少抑制作用或不被抑制的情况下进行。因此，增进由下而上的填充，其可产生减轻接缝效应并防止空隙形成的倾斜轮廓。在一些实施方案中，在较高压强下使用抑制剂等离子体，以增加抑制率，从而提高产能。

公开(公告)号：CN111663120A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010423093.4

申请日：2017-08-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  亚伦·R·费利斯 ,  安德鲁·约翰·迈凯洛 ,  詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  乔恩·亨利

IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  C23C16/06 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  C23C16/54

摘要： 本发明涉及通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应。公开了用于在多站沉积装置中沉积膜的方法和装置以及系统。所述方法可以包括：(a)向所述装置的第一站提供衬底，(b)将所述衬底的温度调节至第一温度，(c)当所述衬底在所述第一站中处于所述第一温度下时，将材料的第一部分沉积在所述衬底上，(d)将所述衬底传送到第二站，(e)将所述衬底的温度调节至第二温度，和(f)当所述衬底处于所述第二温度下时，将所述材料的第二部分沉积在所述衬底上，使得所述第一部分和所述第二部分表现出不同的材料属性值。所述装置和系统可以包括多站沉积装置以及具有用于执行(a)-(f)中的一个或多个的控制逻辑的控制器。

公开(公告)号：CN107699869B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710673939.8

申请日：2017-08-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  亚伦·R·费利斯 ,  安德鲁·约翰·迈凯洛 ,  詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  乔恩·亨利

IPC分类号： C23C16/52

摘要： 本发明涉及通过在整个沉积过程中改变晶片温度来抑制界面反应。公开了用于在多站沉积装置中沉积膜的方法和装置以及系统。所述方法可以包括：(a)向所述装置的第一站提供衬底，(b)将所述衬底的温度调节至第一温度，(c)当所述衬底在所述第一站中处于所述第一温度下时，将材料的第一部分沉积在所述衬底上，(d)将所述衬底传送到第二站，(e)将所述衬底的温度调节至第二温度，和(f)当所述衬底处于所述第二温度下时，将所述材料的第二部分沉积在所述衬底上，使得所述第一部分和所述第二部分表现出不同的材料属性值。所述装置和系统可以包括多站沉积装置以及具有用于执行(a)‑(f)中的一个或多个的控制逻辑的控制器。