发明公开
- 专利标题： 一种半导体器件的制造方法
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申请号： CN202410741407.3申请日： 2024-06-07
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公开(公告)号： CN118475120A公开(公告)日： 2024-08-09
- 发明人: 许培育 , 蔡建成 , 吴建山 , 江丽贞 , 晋墩尚 , 吴媛 , 潘超 , 蔡攀崖
- 申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 专利权人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理商 沈宗晶
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00
摘要：
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，在形成多个切槽之后，可进一步在各切槽中填充牺牲层，然后再以该牺牲层为阻挡，去除硬掩膜层，以形成位于相邻连接垫结构之间的隔离结构；由于填充在所述切槽中的牺牲层可以在去除所述硬掩膜层时对切槽底部的各组件材料进行保护，即避免了现有技术中在形成切槽时执行蚀刻过度所衍生的短路、漏电等问题，进而提升了半导体器件的可靠度与性能。
