本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。