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公开(公告)号：CN118311306B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410738418.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本公开涉及晶圆和芯片成品测试技术领域，具体涉及一种保护模块、测试装置、测试设备及测试方法。本公开提供了一种通用的高可靠测试装置，通过在测试装置中添加保护模块，进一步在保护模块中添加限流单元和连接单元，所述限流单元包括限流器件，用于防止电流突增导致所述测试装置和/或所述被测器件损坏；所述连接单元至少包括一预设阻值的电阻，通过该电阻将所述测试机的感测线与所述被测器件连接，以使所述测试机通过所述感测线感测施加到所述被测器件的电压值，利用该电阻通过提高感测线的输入阻抗保证了得到的被测器件电压的准确性，提高了测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN117293192B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311589002.4
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种多沟道半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。多沟道半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内设有至少一个沿横向延伸的隔离区，以在漂移区内限定出至少两条导电沟道；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区设置隔离区形成多条导电沟道，载流子分为多个路径，单条路径下的载流子数目减少，在漏端电场作用下，漏端碰撞电离出的电子空穴对数目减少，热载流子注入效应得到抑制，器件可靠性提升；同时多个导电通道有助于获得更低的导通电阻，隔离区也可以提高器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN116525660B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310798838.9
申请日：2023-07-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括：半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，氧化层、漂移区以及体区构成场板结构。氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层，第一氧化层与体区相接，作为纵向栅与体区之间的栅氧化层；第二氧化层与阱区相接，作为纵向栅与阱区之间的场板隔离介质层；第三氧化层与漂移区相接，作为纵向栅与漂移区之间的场板隔离介质层。本发明通过纵向栅氧结构提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片面积。
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公开(公告)号：CN115528117A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211436896.9
申请日：2022-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底的上层硅为凸字型结构，包括第一凸台和第二凸台；第一凸台被划分为体区和漂移区；氧化场板形成于漂移区上；源区第一导电类型掺杂区形成于靠近体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区形成于源区第一导电类型掺杂区上；源极形成于源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区形成于漏区第一导电类型掺杂区上；漏极形成于漏区第二导电类型掺杂区上。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，提高击穿电压、器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN108761236A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810522093.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/003
Abstract: 本发明公开了一种RFID标签在高低温条件下的性能测试系统和测试方法。所述性能测试系统包括：热流罩高低温装置，用于对空气进行加热或制冷；热传导装置，通过第一导管与所述热流罩高低温系统相连接，将所述热流罩高低温系统产生的冷热空气进行传输；以及隔热装置，通过第二导管与所述热传导装置相连接，该隔热装置用于容纳所述RFID标签以对其进行高温或低温性能测试。根据本发明的实施方式的RFID标签在高低温条件下的性能测试系统，可以有效评测高低温环境对RFID标签性能的影响，对生产实践有重要的指导意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118610266B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411082427.0
申请日：2024-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。
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公开(公告)号：CN118610266A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411082427.0
申请日：2024-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。
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公开(公告)号：CN117317024B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311589183.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种高开关特性半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。高开关特性半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿第一方向排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内形成有沿第二方向延伸的隧穿区，第二方向与第一方向交叉；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区内设置隧穿区，在器件处于关态时，隧穿区由于势垒较高，载流子无法隧穿，能够有效降低漏电流，节约功耗，隧穿区的隔离作用能够提升耐压特性及抗电磁特性；在器件处于开态时，载流子一部分隧穿导电，一部分绕过隧穿区导电，获得较高的开态电流，具有良好的开关电流比。
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公开(公告)号：CN115642182A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211461416.4
申请日：2022-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；第一漏极重掺杂区与第一漏极金属电极构成第一漏极，第二漏极重掺杂区与第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，形成于阱区。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN114268310A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111331236.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输入端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。
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