本发明属于半导体技术领域，本发明对现有肖特基结型MOSFET的结构的局部进行了设计优化，提出了一种新的具有大的开态通流能力且具有常关功能的场效应晶体管，本发明涉及的一种场效应晶体管包括n型半导体层、漏电极、源电极、栅电极以及栅绝缘膜，其中源电极的第一部分与n型半导体层之间存在肖特基势垒，源电极的第二部分与n型半导体层接触形成欧姆接触。本发明的场效应晶体管的开态通流能力能够媲美甚至超过同等条件下的pn结型MOSFET的开态通流能力。