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公开(公告)号：CN118738102A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310325051.0
申请日：2023-03-29
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/872
摘要： 本发明属于半导体技术领域，本发明对现有肖特基结型MOSFET的结构的局部进行了设计优化，提出了一种新的具有大的开态通流能力且具有常关功能的场效应晶体管，本发明涉及的一种场效应晶体管包括n型半导体层、漏电极、源电极、栅电极以及栅绝缘膜，其中源电极的第一部分与n型半导体层之间存在肖特基势垒，源电极的第二部分与n型半导体层接触形成欧姆接触。本发明的场效应晶体管的开态通流能力能够媲美甚至超过同等条件下的pn结型MOSFET的开态通流能力。
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公开(公告)号：CN117936361A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211306646.3
申请日：2022-10-25
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种晶体层叠结构体制造方法、晶体层叠结构体、层叠结构体及半导体元件，其中晶体层叠结构体的制造方法包括：第一n型半导体层制作步骤，获得β‑Ga2O3系单晶的体晶体，对体晶体处理后形成半导体衬底层，半导体衬底层即为第一半导体层，第一半导体层电子载流子浓度＜1x1018cm‑3；第二n型半导体层制作步骤，在第一n型半导体层一侧的表面采用外延工艺形成Ga2O3系半导体层作为第二n型半导体层，或者在第一n型半导体一侧的表面采用掺杂工艺形成的浓度改性层作为第二n型半导体层，第二n型半导体层电子载流子浓度≥1x1018cm‑3。本发明在有较高耐压需求，需要较厚的具有较低电子载流子浓度的Ga2O3系半导体层的应用场景下具有较低成本的优势。
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公开(公告)号：CN118738084A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310324836.6
申请日：2023-03-29
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/808 , H01L29/739 , H01L29/868
摘要： 本发明属于半导体技术领域，基于本发明方案的pn结型MOSFET对传统pn结型MOSFET的结构进行了改进，本发明的场效应管，漏源之间的电子导电沟道只穿过半导体层的n型导电区，不再穿过半导体层的p型导电区。通过这一细节上的改变，消除了漏源之间的电子导电沟道宽度的瓶颈所在，扩宽了电子导电沟道的宽度，从而提升了漏源之间的电子导电沟道的通流能力，有助于器件损耗的进一步降低，器件尺寸的进一步小型化。
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公开(公告)号：CN118630058A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410594010.6
申请日：2024-05-14
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要： 本发明属于半导体技术领域，特别地，涉及一种常关型场效应晶体管。该场效应晶体管中，通过将源电极的第一部分的宽度和/或金属材料设置有两种或两种以上，通过不同元胞中的源电极的第一部分的宽度和/或金属材料的差异化设计，实现不同元胞之间的错峰开启或关断，能够降低器件在开启或关断时的米勒电容CGD的突变速度，从而降低由于米勒电容CGD突变引起的栅极电压振荡。
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公开(公告)号：CN118422314A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310046292.1
申请日：2023-01-31
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , C30B15/10 , C30B23/00 , C30B27/02 , C30B15/14 , C30B30/02 , C30B30/04 , C30B28/10 , C30B28/12
摘要： 本发明提供一种氧化物半导体晶体生长方法及制造装置，使用陶瓷坩埚盛装氧化物半导体原料，先对氧化物半导体原料进行预热升温，再根据氧化物半导体原料升温后具有良好的导电性能的特性，由高频加热线圈部件直接对升温后的氧化物半导体原料进行感应加热使其升温分解升华亦或形成熔体，然后进行后续的单晶生长。本发明采用具有双加热系统的晶体制造装置，利用金属氧化物半导体在高温下的导电特性明显增强的特点，创造性的采用了预热+感应加热的晶体生长方法，无需使用铱金坩埚，可避免氧化物半导体原料与贵金属铱的直接接触，避免了高温下的氧化物半导体原料对贵金属铱的腐蚀损耗和由此而产生的污染，同时大幅降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116153638A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211098228.X
申请日：2022-09-05
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种平面变压器的制作方法，其包括以下步骤：制作包含第一线路的第一线路板和包含第二线路的第二线路板；利用半固化片、磁片、承压板和铜箔堆叠制作第一磁性组件和第二磁性组件；将第一线路板通过第三承压板与第一磁性组件压合在一起制作第三线路板；在第三线路板上设置第三线路和第一通孔制作第四线路板；将第二线路板通过第四承压板与第四线路板压合在一起制作第五线路板；在第五线路板中设置磁柱制作第六线路板；将第二磁性组件通过第五承压板与第六线路板压合在一起制作第七线路板；在第七线路板的基础上设置外层线路及第二通孔获得所述平面变压器。本发明能提高埋磁PCB中平面变压器的耦合系数，并降低压合制程中的板翘不良。
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公开(公告)号：CN115579232A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211080825.X
申请日：2022-09-05
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
摘要： 本发明涉及磁芯加工领域，公开了一种铁氧体薄磁片的加工方法及薄磁片，所述加工方法包括如下步骤：制备磁块→制成薄片→切割小片；本发明提供了一种硬质铁氧体磁片的精细加工方法，可以实现厚度尺寸小于150um的薄磁片加工，或面积小于3mm2的柱形铁氧体薄磁片加工。
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公开(公告)号：CN221884836U
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202323546739.6
申请日：2023-12-25
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种变压器及开关电源，其中变压器包括：第一磁芯，包含绕线柱及多个电极，所述第一磁芯至少第一区域的材料具有的电阻率能防止引线通过磁芯短路，所述电极设置在所述第一区域；第二磁芯，所述第二磁芯采用单一的磁导率大于或等于2000的材料，并设置在所述第一磁芯主磁通流过的通道上，使得所述第一磁芯主磁通通过所述第二磁芯形成闭合磁路；至少两个导电绕组，所述导电绕组设置在所述绕线柱上，且各导电绕组的线头和线尾分别设置在所述多个电极的不同电极上。本实用新型既能防止电极短路，又能提高磁路的磁特性，改善开关电源模块的传输效率。
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公开(公告)号：CN218996510U
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202222354351.5
申请日：2022-09-05
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种PCB埋磁变压器结构，包括PCB基板；绝缘片，设于PCB基板中；一次侧电磁组件，设于PCB基板中，包含第一导电线圈绕组和第一导磁磁体，第一导磁磁体包括第一磁柱和第一磁板，第一磁柱横截面积小于第一磁板横截面积，第一磁柱压合在绝缘片上表面，第一磁板设于第一磁柱上表面，第一导电线圈组环绕第一磁柱；二次侧电磁组件，设于PCB基板中，包含第二导电线圈绕组和第二导磁磁体，第二导磁磁体包括第二磁柱和第二磁板，第二磁柱的横截面积小于第二磁板的横截面积，第二磁柱压合在绝缘片下表面，第二磁板设于第二磁柱下表面，第二导电线圈组环绕第二磁柱；外层电路，设于PCB基板表面。本实用新型可使线圈占板面积增大和耐压可靠性提高。
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公开(公告)号：CN218735226U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222356863.5
申请日：2022-09-05
申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司
IPC分类号： H05K1/18
摘要： 本实用新型涉及一种埋磁PCB拼板及感性器件，所述PCB拼板包括：PCB板、至少两组导电线圈，每组所述导电线圈的顶面和底面分别设有导磁磁片；所述导电线圈和所述导磁磁片埋嵌在PCB板层内；单个所述导磁磁片的投影面积完全覆盖且大于至少两组所述导电线圈的平面面积；所述导磁磁片与PCB板、导电线圈之间均填充有介电树脂，使导电线圈不与导磁磁片接触。PCB拼板经切割形成单个感性器件后，单个感性器件的导磁磁片的侧边至少两个个边沿面外露并与感性器件的侧边边沿齐平；基于该结构下的感性器件因导磁磁片最大化覆盖了导电线圈，降低了磁路磁阻，可有效提升感性器件的电感量；同时减少了单各PCB板内导磁磁片的放置数量，提高了生产效率。
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