发明公开
- 专利标题： 一种半导体器件及其制备方法
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申请号： CN202410860182.3申请日： 2024-06-28
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公开(公告)号： CN118782651A公开(公告)日： 2024-10-15
- 发明人: 高建峰 , 刘卫兵 , 杨帅 , 周娜 , 李俊杰 , 杨涛 , 李俊峰 , 罗军
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京八月瓜知识产权代理有限公司
- 代理商 李海菊
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/28 ; B82Y10/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：包括：衬底、纳米片沟道、金属栅和源漏极；所述纳米片沟道位于所述衬底的上方；所述金属栅环绕所述纳米片沟道；所述源漏极与所述纳米片沟道连接；所述源漏极与金属栅之间设置有具有空腔的侧墙。本发明的半导体器件通过在源漏极与栅极之间引入具有空腔的侧墙，以空气替代部分固态介电材料，大幅降低了器件的寄生电容，与现有GAA集成工艺相兼容且工艺简单。
IPC分类:
