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公开(公告)号：CN115122230B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110266654.9
申请日：2021-03-11
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，其中，抛光头包括：活动杆和压盘；所述活动杆与所述压盘固定连接，所述压盘用于将晶圆装载在所述压盘远离活动杆的一侧；所述压盘的内部设置有振动监测传感器，所述振动监测传感器用于监测晶圆在抛光过程中的振动情况，以获得振动信号；抛光头用于根据所述振动信号，调整对晶圆施加的压力大小。本发明能够精准的控制抛光头对晶圆施加压力的大小。
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公开(公告)号：CN118782651A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410860182.3
申请日：2024-06-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：包括：衬底、纳米片沟道、金属栅和源漏极；所述纳米片沟道位于所述衬底的上方；所述金属栅环绕所述纳米片沟道；所述源漏极与所述纳米片沟道连接；所述源漏极与金属栅之间设置有具有空腔的侧墙。本发明的半导体器件通过在源漏极与栅极之间引入具有空腔的侧墙，以空气替代部分固态介电材料，大幅降低了器件的寄生电容，与现有GAA集成工艺相兼容且工艺简单。
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公开(公告)号：CN112563402B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202011262952.2
申请日：2020-11-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种悬桥结构热电堆器件的制作方法。制作方法：在半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后图形化刻蚀至半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透半导体衬底，形成背腔；去除保护层，任选地经过后续工艺得到悬桥结构热电堆器件。本发明工艺简单，为制作悬桥结构的热电堆提供了便利。
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公开(公告)号：CN111964794B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010874173.1
申请日：2020-08-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01J5/12
摘要： 一种高吸收纳米结构热电堆及其制作方法，热电堆包括：红外吸收层；其中红外吸收层包括若干个具有内凹结构的纳米柱。本发明采用与CMOS兼容的材料作为红外吸收层，通过对红外吸收层进行结构改进，在红外吸收层刻蚀形成具有内凹结构的纳米柱，来增强红外吸收层的限光效应，提高光吸收，从而制作出高红外吸收的热电堆器件。
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公开(公告)号：CN113517219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010276306.5
申请日：2020-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 本公开公开了一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，包括：提供一基底，所述基底一侧表面上具有金属层；对所述金属层进行刻蚀；以及在所述金属表面形成氧化膜。本公开中，在金属刻蚀后，在金属表面形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及其内部残留的氯成分反应，防止金属刻蚀后金属腐蚀的发生。
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公开(公告)号：CN118413999A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310787999.8
申请日：2023-06-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H10B63/10
摘要： 本说明书实施例提供了一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法，相变存储器包括：在相变存储器的主体结构上设置孔结构；沿垂直于所述孔结构底部的方向，所述孔结构内壁上设置有多个凹陷结构；各所述凹陷结构中设置有插入电极。本申请提供的技术方案用以解决现有技术存储器的位密度较低，不能满足用户的需求的问题。
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公开(公告)号：CN118366866A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410263971.9
申请日：2024-03-07
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/443 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及一种改善钨金属栅均匀性的方法及晶体管的制备方法，以获得厚度更加一致的钨金属栅结构，提高器件的电学稳定性。一种改善钨金属栅均匀性的方法，其包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面设有绝缘层，所述绝缘层内设有多个栅极沟槽；在所述栅极沟槽内壁沉积栅介质层；利用ALD法在所述栅介质层表面沉积第一钨层，直至填充满所述栅极沟槽；利用CVD法在所述第一钨层表面沉积第二钨层；用同样的刻蚀条件依次回刻第二钨层和第一钨层，直至所述栅极沟槽内的钨与所述绝缘层齐平，最终得到钨金属栅。
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公开(公告)号：CN114355731B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011090371.5
申请日：2020-10-13
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN114659456B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011547992.1
申请日：2020-12-23
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种软刷辊轴间距检测装置、调整系统及方法，属于半导体制造工艺技术领域，解决了现有技术中对辊轴软刷距离的调整需要通过人工完成，耗费人工，人均生产效率低；软刷辊轴间距调整不及时造成刷洗效果降低，颗粒残留；个人操作不当带来软刷辊轴间距调整不准确，软刷辊对晶圆受力异常而导致晶圆弯曲变形和破损的问题。本发明的软刷辊轴间距检测装置，包括：探测器，所述探测器与晶圆中心的连线位于晶圆径向上，探测器与晶圆中心的连线与一对软刷辊轴所在的平面的夹角为60‑90度；所述探测器对软刷辊轴间距进行测量。实现了半导体生产工艺中刷洗模块的软刷滚轴间距的自调整。
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公开(公告)号：CN114517863B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011296350.9
申请日：2020-11-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种真空配管连接结构及方法，涉及蚀刻设备制造技术领域，用于解决当前真空配管连接结构拧紧时费时费力，所述真空配管连接结构包括：第一法兰盘，第二法兰盘和管夹；所述第一法兰盘和所述第二法兰盘分别设置在需要连接的真空配管的连接端，且所述第一法兰盘和所述第二法兰盘尺寸相同；所述管夹一侧与所述第一法兰盘旋转锁定，另一侧与所述第二法兰盘旋转锁定；所述管夹中设置有密封圈，对接的真空配管分别位于所述密封圈两侧，安装到位后，密封圈实现对连接真空配管的密封对接。本发明实施例提供的技术方案能够提高配管的组装效率。
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