发明公开
- 专利标题: 一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺
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申请号: CN202411203890.6申请日: 2024-08-30
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公开(公告)号: CN118824737A公开(公告)日: 2024-10-22
- 发明人: 喻巧 , 廖永郁 , 谢艺兰 , 洪志超 , 周永昌 , 罗培福 , 熊月龙 , 陈永虹 , 宋运雄 , 林志盛 , 张子山
- 申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
- 申请人地址: 福建省泉州市鲤城区高新技术产业园(江南园)紫华路4号
- 专利权人: 福建火炬电子科技股份有限公司
- 当前专利权人: 福建火炬电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省泉州市鲤城区高新技术产业园(江南园)紫华路4号
- 代理机构: 泉州君典专利代理事务所
- 代理商 王清燕
- 主分类号: H01G4/30
- IPC分类号: H01G4/30 ; H01G4/12 ; H01G4/04 ; H01G13/00
摘要:
一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺,多层瓷介电容器由多个组合介电层相互叠加烧制而成,组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构,介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极;介质层A包括以下原料:钛酸钡基体A和液态改性掺杂剂A;液态改性掺杂剂A包括以下原料:氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料;通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器,具有高介电常数(≥4500),平稳的介温特性曲线(符合X7R要求),较低的损耗(≤3.0%),高绝缘电阻(RC@25℃≥5000MΩ·μF),高耐电压(>150V/μm)等优异性能。