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公开(公告)号:CN118942910A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411336821.2
申请日:2024-09-25
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
摘要: 一种灌封脉冲功率型电容器,包括电容器本体、塑封外壳、灌封层和安装座,电容器本体包括相对设置的两支架和上下间隔设置在两支架中的多个电容芯片,支架包括上下间隔设置的多个支板、竖直设置在多个支板之间的连接引脚和分别设置在多个支板上用于固定连接引脚的固定板;塑封外壳包括间隔设置的容纳腔和受力腔,所述电容器本体设置在容纳腔中;灌封层设置在容纳腔中,用于固定电容器本体;安装座包括安装座本体、设置在安装座上用于安装塑封外壳的安装槽和设置在安装座本体上用于固定塑封外壳的夹紧片;本申请具体限定支架的结构,使多个电容芯片上下间隔布置,留有足够的形变空间可以在承受冲击的瞬间整体一定程度的扭曲变形而不影响其可靠性。
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公开(公告)号:CN118824737A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202411203890.6
申请日:2024-08-30
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
摘要: 一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺,多层瓷介电容器由多个组合介电层相互叠加烧制而成,组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构,介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极;介质层A包括以下原料:钛酸钡基体A和液态改性掺杂剂A;液态改性掺杂剂A包括以下原料:氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料;通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器,具有高介电常数(≥4500),平稳的介温特性曲线(符合X7R要求),较低的损耗(≤3.0%),高绝缘电阻(RC@25℃≥5000MΩ·μF),高耐电压(>150V/μm)等优异性能。
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公开(公告)号:CN116425527B
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202310051661.6
申请日:2023-02-02
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种脉冲功率型陶瓷介质材料、脉冲功率型陶瓷电容器及其制备方法,以100重量份的BaTiO3为基材,添加有如下重量份的成分:5~8份的铌铁矿SrNb2O6、1~3份的焦绿石相(Bi2‑xErx)(In1/2Nb1/2)2O7、2~4份的(Bi1‑yNdy)(Mg2/3Ta1/3)O3、0.1~1份的MnCO3、0.1~1份的MgO、0.5~3份的Sm2O3、1~2份的BaB2O4;其中,0<x<0.05,0<y<0.08。本发明制得的脉冲功率型陶瓷介质材料致密度高、介电常数大、介电损耗低,适合用作脉冲功率型陶瓷电容器。
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公开(公告)号:CN116425527A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202310051661.6
申请日:2023-02-02
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种脉冲功率型陶瓷介质材料、脉冲功率型陶瓷电容器及其制备方法,以100重量份的BaTiO3为基材,添加有如下重量份的成分:5~8份的铌铁矿SrNb2O6、1~3份的焦绿石相(Bi2‑xErx)(In1/2Nb1/2)2O7、2~4份的(Bi1‑yNdy)(Mg2/3Ta1/3)O3、0.1~1份的MnCO3、0.1~1份的MgO、0.5~3份的Sm2O3、1~2份的BaB2O4;其中,0<x<0.05,0<y<0.08。本发明制得的脉冲功率型陶瓷介质材料致密度高、介电常数大、介电损耗低,适合用作脉冲功率型陶瓷电容器。
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公开(公告)号:CN115376827B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202210973365.7
申请日:2022-08-15
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
摘要: 一种长引出端脉冲电容器的生产工艺,长引出端脉冲电容器包括相对设置的两框架、依次堆叠在两框架之间的多个电容芯片和分别设置在相邻两电容芯片之间的多个缓冲垫片;框架包括框架本体和与框架本体连接向外延伸的引出端,引出端的长度为40‑50mm;本申请通过限定脉冲电容器的结构,使得框架具有长引出端的同时还能提高强度,满足所需要的使用需求;并且限定框架回流焊治具的结构及脉冲电容器焊接定位治具的结构,保证框架及脉冲电容器的稳定形成,提高产品的成品率。
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公开(公告)号:CN106098398A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610378153.9
申请日:2016-05-31
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
摘要: 一种超级电容器多层极片,包括集流体、导电层、活性物质层及增塑层。制备方法依次包括:制备导电层、活性物质层及增塑层浆料或糊状料;在集流体表面涂覆导电层浆料,经干燥、辊压形成导电层;在导电层表面涂覆活性物质层浆料,经干燥、辊压形成活性物质层;在活性物质层表面通过喷涂或凹版印刷覆设一层增塑层糊状料,经辊压形成增塑层。本发明通过在集流体与活性物质层之间设置粘性导电层,既可以提高活性物质层的黏合度,又可以保证高导电性,且在活性物质层上压覆增塑层,可进一步提高极片的柔韧性,防止活性物质层在从集流体上脱落,提高超级电容器在高温负荷情况下的使用寿命,可获得更高比能量、比功率、高导电率的电极片。
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公开(公告)号:CN105367053A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510621925.2
申请日:2015-09-25
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种低损耗X9R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法,以100重量份的[(1-x)BaTiO3-xBiyNazTiO3]为基材,添加1.5-2.5重量份的NbO、0.1-0.5重量份的RE2O3、0.05-0.15重量份的MnO和2-4重量份的BiBO3,用去离子水作为分散介质、球磨、烘干并造粒,再将造粒后的粉料压制成圆片生坯,然后在空气气氛中升温至1080-1200℃,保温烧结2-6h,即制得X9R型多层陶瓷电容器用介质材料,该介质材料具有介电损耗低,使用温度高(-55℃-200℃),良好的温度稳定性(-15%≤ΔC/C≤15%)等特点,利用本发明可使多层陶瓷电容器、调谐器、双工器、等元器件适合高温(-55℃-200℃)的应用,有极高的产业化前景及工业应用价值。
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公开(公告)号:CN104058740A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410314961.X
申请日:2014-07-03
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
摘要: 本发明提供一种无铅高介电常数温度稳定型微波介电陶瓷材料及其制备方法。该种无铅高介电常数微波介电陶瓷材料,其原料包括xBaO·yNd2O3·zTiO2化合物、铋钛化合物、MTiO30、硅锌化合物、NB2O4;其制作方法为以xBaO·yNd2O3·zTiO2为主基料,铋钛化合物、MTiO3、硅锌化合物、NB2O4为配料,通过水为分散介质,球磨、干燥、破碎并造粒、并将造粒后的粉料压制成圆片生坯,然后在空气气氛中升温至1100~1200℃,保温烧结2-4h,即制得无铅高介电常数微波介电陶瓷材料。上述所制得的陶瓷材料可用于制造高频、热稳定性优良的独石电容器,环保且有巨大的市场价值。
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公开(公告)号:CN118073087A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410332346.5
申请日:2024-03-22
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
摘要: 一种带泄放电阻的脉冲支架电容器及其制备方法,脉冲支架电容器包括电容器本体和相对设置在电容器本体两侧的两支架,所述电容器本体包括电容芯片、相对设置在电容芯片两端的两端部电极和设置在电容芯片顶面连接在两端部电极之间的泄放电阻,两所述支架分别与两端部电极连接,所述支架包括与端部电极连接的连接框架、设置在连接框架下方与电路板连接的支撑脚和设置在框架与支撑脚之间的连接引线;本申请通过限定脉冲支架电容器的结构,在其表面设置在泄放电阻,使得脉冲支架电容器可在电路中断后,与泄放电阻形成通路,将电容器的残余能量通过电阻释放,提升电路的安全性。
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公开(公告)号:CN114758889B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202210259233.8
申请日:2022-03-15
申请人: 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号: H01G4/12 , C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/628 , C04B35/622
摘要: 一种高容薄层化陶瓷电容器、介质材料及其制备方法,一种高容薄层化陶瓷电容器用介质材料,由(Ba1‑xCax)TiO3与添加剂按摩尔份比100:1.8‑8的比例组成,其中0<x≤0.05;添加剂由乙酰丙酮镁、正硅酸丁酯、过渡金属乙酰丙酮盐按摩尔份比0.8‑1.2:0.5‑0.8:0.2‑4的比例组成;过渡金属乙酰丙酮盐包括乙酰丙酮锰、乙酰丙酮钇、乙酰丙酮钒和乙酰丙酮锆中的一种或多种;本申请限定高容薄层化陶瓷电容器用介质材料的具体组成,采用水热法制备的(Ba1‑xCax)TiO3纳米粉体为基体,采用化学包覆法实现镁金属及其他过渡金属的均匀包覆,使制得的陶瓷电容器具有介电损耗低、介电常数≥2000、良好的绝缘电阻的特点,温度特性满足X5R的要求。
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