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    一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法
    2.
    发明公开
    一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN116947483A

    公开(公告)日：2023-10-27

    申请号：CN202310929619.X

    申请日：2023-07-27

    申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

    发明人： 罗培福 ,  洪志超 ,  周永昌 ,  陈本夏 ,  宋运雄 ,  陈永虹 ,  林志盛

    IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H01G4/30

    摘要： 一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法，高容多层BME瓷介电容器，由介电层相互叠加烧制而成，介电层包括介质层和印刷在介质层上的内电极，介质层是基于100重量份的前驱体混合掺杂剂制成；掺杂剂包括以下原料；氧化镁、碳酸锰、五氧化二钒、稀土氧化、二氧化硅、硝酸钙、氧化锆；前驱体由钛酸钡混合稀土氧化物，在1000‑1200℃的温度下焙烧0.5‑3h而成；本发明采用前驱体预烧法，先把稀土氧化物和钛酸钡分散均匀后在1000‑1200℃焙烧0.5‑3h成为前驱体，以此增加钛酸钡中稀土元素的掺杂量，使制备的MLCC具有了极高的介电常数和平稳的介温特性曲线，以及低损耗、高绝缘电阻的优良综合性能、在电路中将具有更小的漏电流，更高的可靠性。

    贱金属脉冲储能陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法
    3.
    发明公开
    贱金属脉冲储能陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN116041060A

    公开(公告)日：2023-05-02

    申请号：CN202310076689.5

    申请日：2023-02-08

    申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

    发明人： 陈本夏 ,  林柄锋 ,  郑冬建 ,  罗培福 ,  陈永虹 ,  宋运雄

    IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

    摘要： 本发明公开了一种贱金属脉冲储能陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法，该陶瓷介质材料的原料组成与百分比含量为：[a wt％(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3+b wt％(SiO2‑Al2O3)]，其中，(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3作为主基体，SiO2‑Al2O3作为烧结助剂，0.4≤x≤0.7，0.4≤y≤0.7，85≤a≤98，2≤b≤15，a、b分别为主基体和烧结助剂的质量百分比，在主基体表面分布有二氧化硅掺杂的介孔氧化铝SiO2‑Al2O3纳米颗粒。通过固相法与超声辅助溶胶‑凝胶法相结合，制得的上述陶瓷介质材料的粒径在300‑500nm之间，可与贱金属电极共烧，具有良好的适配性，同时兼顾较低的介电损耗、较高的介电常数、优异的充放电性能、良好的温度稳定性等优点。

    一种高耐压温度稳定型介质材料配方及其制备方法
    4.
    发明公开
    一种高耐压温度稳定型介质材料配方及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN109354491A

    公开(公告)日：2019-02-19

    申请号：CN201811093469.9

    申请日：2018-09-19

    申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

    发明人： 陈永虹 ,  林志盛 ,  宋运雄 ,  许金飘 ,  郑冬建 ,  洪志超

    IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    摘要： 一种高耐压温度稳定型介质材料、陶瓷电容器及其制备方法。通过固相法合成ZnNb2O6、Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3，烧制ZBS玻璃；以100重量份的BaTiO3，添加3～8重量份的ZnNb2O6；10～20重量份的Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3；0.1～0.3重量份的MnCO3；0.1～0.4重量份的Re2O3；1～3重量份的ZBS玻璃。通过球磨分散、烘干破碎最终形成介质材料。本发明提供的介质材料，介电常数为450±50，损耗角正切值为DF≤20×10-4，工作温度区间为-55℃～125℃，电容温度系数为-200ppm/K～200ppm/K，且具有极高的击穿强度(≥60V/μm)。利用本发明提供的介质材料可制备工作温度范围为-55℃～125℃的脉冲储能电容器。

    高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法
    5.
    发明公开
    高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105060877A

    公开(公告)日：2015-11-18

    申请号：CN201510568485.9

    申请日：2015-09-09

    申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

    发明人： 吴金剑 ,  林志盛 ,  黄祥贤 ,  宋运雄 ,  陈永虹 ,  谢显斌 ,  许金飘

    IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/626

    摘要： 本发明提供一种高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法。该种高介电常数AG特性介电陶瓷材料，其原料组分为：wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3化合物、Li1/2Re1/2O3、BaB2O4、ZnO；其制作方法为以wBaO·xNd2O3·yTiO2·zBi2O3为主基料，Li1/2Re1/2O3、ZnO、BaB2O4为添加料，通过水为分散介质，球磨、烘干、粉碎并造粒、并将造粒后的粉料压制成圆片生坯，然后在空气气氛中升温至1100～1200℃，保温烧结2-4h，即制得高介电常数AG特性介电陶瓷材料。上述所制得的介电陶瓷材料不含Pb等有害金属，介电常数高达90以上，具有AG特性(90±20ppm/K),超低介电损耗，高温度稳定性，可用于制造高频、热稳定性优良的独石电容器。

    一种线性高压低损耗电容器陶瓷材料及其制备方法
    7.
    发明公开
    一种线性高压低损耗电容器陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104609852A

    公开(公告)日：2015-05-13

    申请号：CN201510004578.9

    申请日：2015-01-06

    申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

    发明人： 吴金剑 ,  黄祥贤 ,  林志盛 ,  张子山 ,  陈永虹 ,  谢显斌

    IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

    摘要： 一种线性高压低损耗电容器陶瓷材料，由以下重量份的原料组分制备而成：100份的BaTiO3、5～18份的ZnNb2O6、1.5～6份的Re2O3、0.05～0.25份的MnCO3及0.5～3份的BaB2O4，其中Re2O3为稀土氧化物的一种或几种的组合。通过球磨、干燥、破碎、造粒，并将造粒后的粉料压制成圆片生坯，然后中温烧结1～4h制得。本发明的电容器陶瓷材料无铅、具有线性容温变化率、高耐压强度、低介质损耗，电容器性能符合美国EIA标准，满足X7P性能，可用于制造交流电容器、温度补偿电容器、脉冲功率电容器等性能优良的独石电容器，环保且具有重大的实用价值、科技价值及市场价值。

    一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
    8.
    发明公开
    一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN103936414A

    公开(公告)日：2014-07-23

    申请号：CN201410135753.3

    申请日：2014-04-04

    申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

    发明人： 林志盛 ,  陈永虹 ,  张子山 ,  蔡劲军 ,  蔡明通

    IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明公开了一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法，本发明以钛酸钡、钛酸铋钠和五氧化二铌共融化合物为基体，外加钙硼硅化合物，Ce、Nd、La的氧化物中的一种或多种复合，钡锰氧化物，氧化镁、氧化锌一种或多种复合；并提供了本发明提供了制备高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料的方法，根据本发明提供的材料及方法所制得的X9R型多层陶瓷电容器介质材料具有耐高温（200℃以上），良好的温度稳定性，可使多层陶瓷电容器、调谐器、双工器、等元器件适合高温（200℃以上）的应用，有极高的产业化前景及工业应用价值。